[發(fā)明專利]一種ALD加熱組件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011411046.4
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN112359346A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 萬軍;廖海濤;王斌;王輝
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫市邑晶半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京眾達(dá)德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570
• 代理人: 劉杰

本發(fā)明涉及一種ALD加熱組件。該加熱組件適用于對反應(yīng)器的加熱，該加熱組件包括第一加熱器、第二加熱器以及第三加熱器，第一加熱器設(shè)置在封蓋的頂部上，第一加熱器的輸出端作用在封蓋上，第二加熱器設(shè)置在反應(yīng)腔室的外側(cè)壁和真空腔室的內(nèi)側(cè)壁之間，第二加熱器的輸出端作用在反應(yīng)腔室的側(cè)壁上，第三加熱器設(shè)置在反應(yīng)腔室的底部和真空腔室的底部之間，第三加熱器作用在反應(yīng)腔室的底部上。本發(fā)明可實現(xiàn)反應(yīng)腔室的頂部、側(cè)部及底部三個區(qū)域獨立輻射加熱和控溫，在大空間內(nèi)形成均勻溫度場，以使前驅(qū)體源的加熱溫度快速升溫至需求溫度，加熱效率高，加熱均勻，提高沉積膜的成型質(zhì)量和一致性，適合批量性生產(chǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體納米薄膜沉積技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種ALD加熱組件。

背景技術(shù)

隨著IC復(fù)雜程度的不斷提高，按照著名的摩爾定律和國際半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會公布的國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖，硅基半導(dǎo)體集成電路中金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管器件的特征尺寸將達(dá)到納米尺度。原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)具有優(yōu)異的三維共形性、大面積的均勻性和精確的亞單層膜厚控制等特點，受到微電子行業(yè)和納米科技領(lǐng)域的青睞。

現(xiàn)有技術(shù)中，原子層沉積加工的技術(shù)方案為：將基體放置在一個密封的反應(yīng)器中，再通過將氣相前驅(qū)體源交替地通入反應(yīng)器，以在基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)形成沉積膜。

在實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案中，申請人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在以下不足：

現(xiàn)有技術(shù)中，在將氣相前驅(qū)體源交替脈沖地通入反應(yīng)器之前，還需要對反應(yīng)器加熱至合適溫度，現(xiàn)有技術(shù)中對反應(yīng)器的加熱速率慢，加熱不均勻，影響沉積膜的成型質(zhì)量和一致性。

因此，需對現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種ALD加熱組件，解決了或部分解決了現(xiàn)有技術(shù)中對反應(yīng)器的加熱速率慢，加熱不均勻，影響沉積膜的成型質(zhì)量和一致性的技術(shù)問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案為：

一種ALD加熱組件，所述加熱組件適用于對反應(yīng)器的加熱，所述反應(yīng)器包括真空腔室以及反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室內(nèi)置于所述真空腔室內(nèi)，所述反應(yīng)腔室頂部敞口，所述反應(yīng)腔室的頂部通過封蓋密封；所述加熱組件包括：

第一加熱器，所述第一加熱器設(shè)置在所述封蓋的頂部上，所述第一加熱器的輸出端作用在所述封蓋上；

第二加熱器，所述第二加熱器設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的外側(cè)壁和所述真空腔室的內(nèi)側(cè)壁之間，所述第二加熱器的輸出端作用在所述反應(yīng)腔室的側(cè)壁上；

第三加熱器，所述第三加熱器設(shè)置在所述反應(yīng)腔室的底部和所述真空腔室的底部之間，所述第三加熱器作用在所述反應(yīng)腔室的底部上。

進(jìn)一步地，所述封蓋的頂部固定設(shè)置有第一安裝板，所述第一加熱器包括多個第一加熱絲，多個所述第一加熱絲呈同心波紋設(shè)置，多個所述第一加熱絲均固定在所述第一安裝板的底面上。

進(jìn)一步地，所述第一安裝板的外沿向下折彎，形成第一限位擋邊。

進(jìn)一步地，所述加熱組件還包括第一熱反射組件，所述第一熱反射組件固定設(shè)置在所述第一安裝板的頂面上。

更進(jìn)一步地，所述第一安裝板的頂面上設(shè)置有固定塊，所述第一熱反射組件設(shè)置在所述第一安裝板和所述固定塊之間；

所述第一熱反射組件包括若干依次設(shè)置的熱反射板，相鄰的兩個所述熱反射板的接觸形式為多點接觸。