[發明專利]層壓體的制造方法

有效

• 申請號: 202011410648.8
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN113844149B
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: 福島和宏
• 申請（專利權）人: 普洛梅特庫株式會社
• 主分類號: B32B37/10
• 分類號: B32B37/10;B32B37/06;B32B38/00;B32B37/08;B32B15/20;B32B15/08;B32B33/00;G02F1/1334
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 金楊;李雪

1.一種層壓體的制造方法，該層壓體由液晶聚合物薄膜和銅箔層壓而成，其特征在于：

所述液晶聚合物薄膜在層壓前分子沿平行于面的方向取向，

該層壓體的制造方法包括：對所述液晶聚合物薄膜的表面進行等離子體處理，將為親水基的官能基賦予給所述液晶聚合物薄膜的表面的工序(A)；

使所述液晶聚合物薄膜的已經過了等離子體處理的面與所述銅箔相對，以所述官能基運動被激活的第一溫度對所述液晶聚合物薄膜和所述銅箔進行熱壓來形成所述層壓體的工序(B)；

以比所述第一溫度高且所述液晶聚合物薄膜的分子取向變為隨機的第二溫度對所述層壓體進行熱處理的工序(C)；以及

將所述層壓體驟冷到不會促進所述液晶聚合物薄膜重新取向的80℃以下的溫度的工序(D)，

在所述工序(B)中，所述第一溫度為所述液晶聚合物薄膜的β松弛溫度以上α松弛溫度以下，

在所述工序(C)中，所述第二溫度為比所述液晶聚合物薄膜的熔點低20℃的溫度以上且比所述液晶聚合物薄膜的熔點高20℃的溫度以下，

以卷對卷法將所述工序(A)、所述工序(B)、所述工序(C)以及所述工序(D)作為一系列工序實施。

2.根據權利要求1所述的層壓體的制造方法，其特征在于：

在所述工序(A)中，用于所述等離子體處理的氣體為氬、氮、空氣、水蒸氣、二氧化碳中的任一種，或者為氬、氮、空氣、水蒸氣、二氧化碳中的兩種以上混合后得到的氣體。

3.根據權利要求1所述的層壓體的制造方法，其特征在于：

在所述工序(A)中，賦予給所述液晶聚合物薄膜的表面的所述官能基為羥基、羰基、羧基中的任一種。

4.根據權利要求1所述的層壓體的制造方法，其特征在于：

在所述工序(A)中，所述等離子體處理為大氣壓等離子體處理。