[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202011409949.9
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN113161316A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 丸山一哉;佐野努;西城淳一
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L21/60;H01L25/18
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

實施方式的半導體裝置具備第1電極、第2電極、以及在所述第1電極與所述第2電極之間延伸的導線。所述導線包含：第1導電體，與所述第1電極及所述第2電極相接；以及第2導電體，以不與所述第1電極及所述第2電極相接的方式設置在所述第1導電體內。

相關申請案的引用

本申請案基于2020年01月07日提出申請的在先日本專利申請案第2020-000795號的優先權而主張優先權利益，通過引用將其全部內容并入本文中。

技術領域

本發明的實施方式涉及一種半導體裝置。

背景技術

作為將電極間電連接的方法，已知有導線接合。

發明內容

一實施方式提供一種半導體裝置，使半導體裝置的導線及焊墊間的接合可靠性提高。

實施方式的半導體裝置具備第1電極、第2電極、以及在所述第1電極與所述第2電極之間延伸的導線。所述導線包含：第1導電體，與所述第1電極及所述第2電極相接；以及第2導電體，以不與所述第1電極及所述第2電極相接的方式設置在所述第1導電體內。

根據所述構成，可提供一種使導線及焊墊間的接合可靠性提高的半導體裝置。

附圖說明

圖1是表示實施方式的半導體裝置的整體構成的俯視圖。

圖2是沿圖1的II-II線的半導體裝置的剖視圖。

圖3是將圖2的區域III放大后的半導體裝置的剖視圖。

圖4是用來說明實施方式的半導體裝置的制造工程中的導線接合處理的流程圖。

圖5是用來示意性地說明實施方式的半導體裝置的制造工程中的導線接合處理的部分的剖視圖。

圖6是變化例的半導體裝置的剖視圖。

圖7是用來說明變化例的半導體裝置的制造工程中的導線接合處理的流程圖。

圖8是應用例的半導體裝置的框圖。

具體實施方式

以下，參考附圖對實施方式進行說明。各實施方式例示出用來使發明的技術思想具體化的裝置或方法。附圖是示意性或概念性的圖，各附圖的尺寸及比率等未必與實際情況相同。本發明的技術思想并非由構成要素的形狀、構造、配置等來特定。

另外，以下的說明中，某物質的“直徑”是指該物質的與延伸方向垂直的截面上該物質的外側直徑的平均值。

1.實施方式 對實施方式的半導體裝置進行說明。

1.1構成 首先，對實施方式的半導體裝置的構成進行說明。

1.1.1半導體裝置 圖1是用來說明實施方式的半導體裝置的構成的俯視圖。圖1中，為了方便說明，省略覆蓋半導體裝置的絕緣體而圖示。

如圖1所示，半導體裝置1具備半導體襯底10、半導體芯片20、多個引線端子30、及多條導線40。半導體芯片20積層在半導體襯底10上。以下的說明中，將半導體芯片20在半導體襯底10上積層的方向設為上方向。即，半導體芯片20設置在半導體襯底10的上表面上。

半導體芯片20經由對應的導線40分別與多個引線端子30電連接。由此，半導體芯片20可經由多個引線端子30與半導體裝置1的外部進行信息通信，而且可從半導體裝置1的外部供給電源。