[發明專利]一種激光切割的面板結構及其制備方法在審
| 申請號: | 202011409805.3 | 申請日: | 2020-12-03 |
| 公開(公告)號: | CN112599568A | 公開(公告)日: | 2021-04-02 |
| 發明(設計)人: | 溫質康;林佳龍;喬小平 | 申請(專利權)人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 林振杰 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 激光 切割 面板 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種激光切割的面板結構,其特征在于,包括玻璃基板,所述玻璃基板的一側面的非激光切割區域覆蓋有遮光層,所述玻璃基板的一側面的激光切割區域覆蓋有切割金屬層,所述切割金屬層的厚度與遮光層的厚度相同。
2.根據權利要求1所述的激光切割的面板結構,其特征在于,所述切割金屬層的厚度范圍為0.1μm-0.15μm。
3.根據權利要求1所述的激光切割的面板結構,其特征在于,所述遮光層遠離玻璃基板的一側面上依次層疊設有緩沖層、有源層、柵極絕緣層、柵極金屬層、鈍化層、源漏極金屬層、平坦層和電極層,所述緩沖層中開設有第一過孔,所述鈍化層上開設有第二過孔,所述第二過孔與第一過孔相對設置且相通,所述第一過孔和第二過孔中均填充有源漏極金屬層,所述第一過孔中的源漏極金屬層。
4.根據權利要求1所述的激光切割的面板結構,其特征在于,所述切割金屬層的材質為鉬。
5.一種權利要求1所述的激光切割的面板結構的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S1、提供一玻璃基板,在所述玻璃基板的一側面的非激光切割區域形成遮光層;
步驟S2、在所述玻璃基板的一側面的激光切割區域形成切割金屬層。
6.根據權利要求5所述的激光切割的面板結構的制備方法,其特征在于,還包括以下步驟:
步驟S3、形成緩沖層,且覆蓋于所述遮光層表面;在所述緩沖層中形成第一過孔;
步驟S4、形成有源層,且覆蓋于所述緩沖層表面;
步驟S5、形成柵極絕緣層,且覆蓋于所述有源層表面;在所述柵極絕緣層中形成第二過孔,所述第二過孔與第一過孔相對設置且相通;
步驟S6、形成柵極金屬層,且覆蓋于所述柵極絕緣層表面;
步驟S7、形成鈍化層,且覆蓋于所述柵極金屬層表面;
步驟S8、在所述第一過孔和第二過孔中形成源漏極金屬層;
步驟S9、形成平坦層,且分別覆蓋于所述源漏極金屬層和鈍化層表面;
步驟S10、形成電極層,且覆蓋于所述平坦層表面。
7.根據權利要求5所述的激光切割的面板結構的制備方法,其特征在于,所述切割金屬層的厚度范圍為0.1μm-0.15μm。
8.根據權利要求5所述的激光切割的面板結構的制備方法,其特征在于,所述切割金屬層的材質為鉬。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





