[發明專利]具阻水氣特性的硅膠薄膜

有效

• 申請號: 202011409438.7
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN112898781B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 鄧仕杰;黃如慧
• 申請（專利權）人: 明基材料股份有限公司
• 主分類號: C08L83/07
• 分類號: C08L83/07;C08L83/05;C08K3/36;C08K9/06;C08K7/00;C08K3/34;C08J5/18;H01L33/56;C23C14/08;C23C14/34;C23C16/40;C23C16/455
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 胡少青;許媛媛

1.一種具阻水氣特性的硅膠薄膜，其特征在于，所述硅膠薄膜是經由固化一種可固化硅樹脂組成物而形成，該可固化硅樹脂組成物包含：

10至25重量份的線性聚硅氧烷，其平均單元結構式至少具有一個與硅原子鍵結的芳基及兩個與硅原子鍵結的烯基；

40至55重量份的第一硅樹脂，其平均單元結構式至少具有R¹SiO_3/2單體以及R²₂SiO_2/2單體，其中R¹及R²為經取代的或未取代的烷基、經取代的或未取代的烯基或經取代的或未取代的芳基，在此平均單元結構式中，該R¹SiO_3/2單體所占的摩爾分率是介于0.60至0.75之間，且硅原子鍵結的烯基相對于所有與硅鍵結的官能基的摩爾數比值為0.03至0.15；

15至30重量份的第二硅樹脂，其平均單元結構式至少具有R³SiO_3/2以及R⁴₃SiO_1/2的單體，其中R³及R⁴為經取代的或未取代的烷基、經取代的或未取代的烯基或經取代的或未取代的芳基；

15至25重量份的至少含硅氫鍵的聚硅氧烷，其化學結構式為：HR⁵₂SiO(SiR⁶₂O)_nSiR⁵₂H，其中，R⁵為經取代的或未取代的烷基或氫原子，R⁶為經取代或未取代的芳基或經取代的或未取代的烷基，n為大于等于0的整數；

10至40重量份的微層片，其中該微層片是選自由云母、黏土、層狀雙氫氧化合物、磷酸氫鈣以及氮化硼所組成的群組的至少之一或其組合；以及

鉑族金屬是催化劑；

其中，該具阻水氣特性的硅膠薄膜的水氣穿透率小于40gm^-2day^-1，可見光穿透率大于92％且霧度小于4％。

2.如權利要求1的具阻水氣特性的硅膠薄膜，其特征在于，其中該微層片的長徑比是介于10至200之間。

3.如權利要求1的具阻水氣特性的硅膠薄膜，其特征在于，其中該微層片的長度是介于0.1微米至25微米之間。

4.如權利要求1的具阻水氣特性的硅膠薄膜，其特征在于，其中該具阻水氣特性的硅膠薄膜的25℃-50℃熱膨脹系數是介于20ppm至60ppm之間，80℃-100℃熱膨脹系數是介于50ppm至150ppm之間，且表面的算術平均高度是介于0.01微米至0.15微米間。

5.如權利要求1的具阻水氣特性的硅膠薄膜，其特征在于，其中該可固化硅樹脂成物進一步包括抑制劑、觸變劑、抗沉降劑、無機填料、熒光粉或其組合。

6.如權利要求5的具阻水氣特性的硅膠薄膜，其特征在于，其中于可固化硅樹脂成物中的無機填料包括氣相二氧化硅。

7.如權利要求1的具阻水氣特性的硅膠薄膜， 更包括無機鍍膜層，其特征在于，其位于該具阻水氣特性的硅膠薄膜的表面上。

8.如權利要求7的具阻水氣特性的硅膠薄膜，其特征在于，其中該無機鍍膜層是通過濺鍍法或原子層沉積法形成于該具阻水氣特性的硅膠薄膜的表面上。

9.如權利要求7的具阻水氣特性的硅膠薄膜，其特征在于，其中該無機鍍膜層的厚度是介于10納米至300納米之間。

10.如權利要求7的具阻水氣特性的硅膠薄膜，其特征在于，其中該無機鍍膜層包括二氧化硅、三氧化二鋁或二氧化鉿。