[發(fā)明專利]半導體裸片和夾用不同的連接方法制造半導體器件的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011408187.0 | 申請日: | 2020-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN112928033A | 公開(公告)日: | 2021-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | R·奧特倫巴;方熾勝;蔡柔燕;李德森;烈慧君;段珂顏;王莉雙;王偉姍 | 申請(專利權(quán))人: | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/367;H01L23/488;H01L23/49 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 周家新 |
| 地址: | 奧地利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導體 不同 連接 方法 制造 半導體器件 | ||
1.一種用于制造半導體器件的方法(100),包括:
-提供載體(110);
-提供第一和第二外部電接觸部(120);
-提供半導體裸片,其包括第一主面、與第一主面相反的第二主面、設(shè)置在第一主面上的第一接觸焊盤、設(shè)置在第二主面上的第二接觸焊盤以及設(shè)置在第二主面上的第三接觸焊盤,其中,半導體裸片包括垂直晶體管(130);
-將半導體裸片以其第一主面連接到載體(140);
-提供第一焊線(150);
-將第一焊線的一端連接到第三接觸焊盤,另一端連接到第一外部電接觸部(160);
-提供夾(170);
-將夾的第一端連接到第二接觸焊盤,第二端連接到第二外部電接觸部(180);
-其中,通過不同的連接方法執(zhí)行將半導體裸片連接到載體和將夾連接在第二接觸焊盤與第二外部電接觸部之間(190)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,
通過擴散軟焊和燒結(jié)、特別是銀燒結(jié)中的一種來執(zhí)行將半導體裸片連接到載體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中,
通過使用焊膏和使用銀導電粘合劑中的一種來將夾連接到第二接觸焊盤。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的方法,其中,
在將半導體裸片連接到載體的步驟與將夾連接在第二接觸焊盤和第二外部電接觸部之間的步驟之間執(zhí)行將第一焊線連接在第一外部電接觸部與第三接觸焊盤之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,
執(zhí)行將第一焊線連接到第一外部電接觸部和以使第一焊線至少部分地設(shè)置在夾下方的方式將夾連接到第二接觸焊盤。
6.一種用于制造半導體器件的方法(200),包括:
-提供載體(210);
-提供第一和第二外部電接觸部(220);
-提供半導體裸片,其包括第一主面、與第一主面相反的第二主面、設(shè)置在第一主面上的第一接觸焊盤、設(shè)置在第二主面上的第二接觸焊盤以及設(shè)置在第二主面上的第三接觸焊盤,其中,半導體裸片包括垂直晶體管(230);
-將半導體裸片以其第一主面連接到載體(240);
-提供第一焊線(250);
-將第一焊線的一端連接到第三接觸焊盤,另一端連接到第一外部電接觸部(260);
-提供夾(270);
-將夾的第一端連接到第二接觸焊盤,第二端連接到第二外部電接觸部(280);
-其中,在將半導體裸片連接到載體的步驟與將夾連接在第二接觸焊盤和第二外部電接觸部之間的步驟之間執(zhí)行將第一焊線連接在第一外部電接觸部與第三接觸焊盤之間(290)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,
通過不同的連接方法執(zhí)行將半導體裸片連接到載體和將夾連接到第二接觸焊盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法,其中,
通過擴散軟焊和燒結(jié)、特別是銀燒結(jié)中的一種來執(zhí)行將半導體裸片連接到載體。
9.根據(jù)權(quán)利要求6-8中任一項所述的方法,其中,
通過使用焊膏和使用銀導電粘合劑中的一種來執(zhí)行將夾連接到第二接觸焊盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求6-9中任一項所述的方法,其中,
執(zhí)行將第一焊線連接到第一外部電接觸部和以使第一焊線至少部分地設(shè)置在夾下方的方式將夾連接到第二接觸焊盤。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





