[發明專利]發光二極管裝置

在審

• 申請號: 202011406465.9
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN112928193A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 陳立宜
• 申請（專利權）人: 美科米尚技術有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

本發明是發光二極管裝置，包括基板、第一導電墊及第二導電墊、發光二極管、金屬突出物、高分子層以及上部電極。基板包含上表面。第一導電墊及第二導電墊位于基板上。發光二極管位于第一導電墊上。金屬突出物位于第二導電墊上。高分子層覆蓋基板的上表面、第一導電墊、第二導電墊、金屬突出物以及發光二極管。自金屬突出物的頂部至基板的上表面的距離大于高分子層的厚度。上部電極覆蓋發光二極管、高分子層以及金屬突出物，使得發光二極管電性連接第二導電墊。本揭露可借由在單一步驟中從高分子層中曝露發光二極管的上表面及金屬突出物的頂部而形成。因此形成光罩以圖案化用以曝露第二導電墊的開口的步驟可被省略，可降低制造成本并提升制造效率。

技術領域

本揭露是有關于一種具有發光二極管的裝置。

背景技術

此段落僅用以提供與本揭露相關的背景資料，而非用以限定本揭露的先前技術。

傳統顯示器的制程多延續標準化的制程。近年來，已有越來越多新式的顯示器，像是微發光二極管顯示器、次毫米發光二極管顯示器以及量子點發光二極管顯示器等，皆有希望占據未來的顯示器市場。因此，標準化的顯示器制程仍有待設立。顯示器的制程中往往包含諸多步驟，而若能省略其中任一步驟則有望降低成本并提升效率。

發明內容

根據本揭露一些實施例，發光二極管裝置包括基板、第一導電墊及第二導電墊、發光二極管、金屬突出物、高分子層以及上部電極。基板包含上表面。第一導電墊及第二導電墊位于基板上。發光二極管位于第一導電墊上。金屬突出物位于第二導電墊上。高分子層覆蓋基板的上表面、第一導電墊、第二導電墊、金屬突出物以及發光二極管，其中自金屬突出物的頂部至基板的上表面的距離大于高分子層的厚度。上部電極覆蓋發光二極管、高分子層以及金屬突出物，使得發光二極管電性連接第二導電墊。

在本揭露一實施例中，發光二極管包含下部電極、位于下部電極上的第一型半導體層、位于第一型半導體層上的主動層以及位于主動層上的第二型半導體層，自金屬突出物的頂部至基板的上表面的距離大于自第二型半導體層與主動層之間的界面至基板的上表面的距離。

在本揭露一實施例中，高分子層的厚度大于自第二型半導體層與主動層之間的界面至基板的上表面的距離。

在本揭露一實施例中，下部電極的厚度與第一導電墊的厚度的總和小于或等于2微米。

在本揭露一實施例中，第二型半導體層的厚度與第一型半導體層的厚度之間的比例大于或等于1.5。

在本揭露一實施例中，第一型半導體層為P型半導體層，且第二型半導體層為N型半導體層。

在本揭露一實施例中，上部電極接觸發光二極管的上表面以及金屬突出物。

在本揭露一實施例中，高分子層為正光阻層。

在本揭露一實施例中，上部電極為透明的。

在本揭露一實施例中，上部電極為銀納米線。

在本揭露一實施例中，高分子層包含二氧化鈦(TiO₂)納米粒子。

在本揭露一實施例中，高分子層的厚度大于或等于2微米。

在本揭露一實施例中，發光二極管的橫向長度小于或等于50微米。

在本揭露一實施例中，金屬突出物的橫向長度小于或等于50微米。

借由上述技術方案，本發明至少具有以下優點效果：本發明發光二極管裝置可降低制造成本并提升制造效率。

附圖說明

圖1A為根據本揭露一些實施例的具有發光二極管的裝置的剖面圖。

圖1B為圖1A的裝置在制造過程中的剖面圖。