[發明專利]發光二極管裝置

在審

• 申請號: 202011406465.9
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN112928193A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 陳立宜
• 申請（專利權）人: 美科米尚技術有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

1.一種發光二極管裝置，其特征在于，包括：

基板，包含上表面；

第一導電墊及第二導電墊，其中該第一導電墊及該第二導電墊位于該基板上；

發光二極管，位于該第一導電墊上；

金屬突出物，位于該第二導電墊上；

高分子層，覆蓋該基板的該上表面、該第一導電墊、該第二導電墊、該金屬突出物以及該發光二極管，其中自該金屬突出物的頂部至該基板的該上表面的距離大于該高分子層的厚度；以及

上部電極，覆蓋該發光二極管、該高分子層以及該金屬突出物，使得該發光二極管電性連接該第二導電墊。

2.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該發光二極管包含下部電極、位于該下部電極上的第一型半導體層、位于該第一型半導體層上的主動層以及位于該主動層上的第二型半導體層，自該金屬突出物的該頂部至該基板的該上表面的距離大于自該第二型半導體層與該主動層之間的界面至該基板的該上表面的距離。

3.根據權利要求2所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該高分子層的該厚度大于自該第二型半導體層與該主動層之間的該界面至該基板的該上表面的該距離。

4.根據權利要求2所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該下部電極的厚度與該第一導電墊的厚度的總和小于或等于2微米。

5.根據權利要求2所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該第二型半導體層的厚度與該第一型半導體層的厚度之間的比例大于或等于1.5。

6.根據權利要求2所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該第一型半導體層為P型半導體層，且該第二型半導體層為N型半導體層。

7.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該上部電極接觸該發光二極管的上表面以及該金屬突出物。

8.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該高分子層為正光阻層。

9.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該上部電極為透明的。

10.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該上部電極為銀納米線。

11.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該高分子層包含二氧化鈦(TiO₂)納米粒子。

12.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該高分子層的厚度大于或等于2微米。

13.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該發光二極管的橫向長度小于或等于50微米。

14.根據權利要求1所述的發光二極管裝置，其特征在于，其中該金屬突出物的橫向長度小于或等于50微米。