[發明專利]用于芯片生產機臺的零部件異常自動偵測方法、存儲介質、終端在審
| 申請號: | 202011403362.7 | 申請日: | 2020-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN112582292A | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 全芯智造技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱薇蕾;張振軍 |
| 地址: | 230088 安徽省合肥市高新區*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 芯片 生產 機臺 零部件 異常 自動 偵測 方法 存儲 介質 終端 | ||
一種用于芯片生產機臺的零部件異常自動偵測方法、存儲介質、終端,所述方法包括:獲取目標零部件的特征尺寸晶圓圖,所述特征尺寸晶圓圖用于描述所述目標零部件對晶圓的影響區域;獲取所述晶圓經芯片生產機臺處理后的待比較晶圓圖,所述目標零部件是所述芯片生產機臺的部件;基于所述特征尺寸晶圓圖和所述待比較晶圓圖,預測所述目標零部件的異常幾率。通過本發明方案能夠自動化地偵測機臺零部件發生異常的幾率,利于預防更多晶圓受到影響,提高生產良率。
技術領域
本發明涉及芯片制造技術領域,具體地涉及一種用于芯片生產機臺的零部件異常自動偵測方法、存儲介質、終端。
背景技術
在芯片生產制造過程中,芯片生產機臺的某些零部件需要直接接觸晶圓以固定晶圓。一旦零部件與晶圓接觸不當,就會造成晶圓缺陷甚至低良率等問題。為了找出產生缺陷問題的根本原因,案件負責人要盡可能地收集各種信息來進行分析以鎖定造成良率問題的“真兇”。
在現階段,鎖定“真兇”的過程主要依賴工程師人力實現。例如,在生產過程中出現缺陷、低良率問題時,需要依靠人工搜集信息和肉眼判斷才能確定是否是零部件異常所致,耗時耗力。
發明內容
本發明解決的技術問題是如何實現對零部件異常的自動化偵測。
為解決上述技術問題,本發明實施例提供一種用于芯片生產機臺的零部件異常自動偵測方法,包括:獲取目標零部件的特征尺寸晶圓圖,所述特征尺寸晶圓圖用于描述所述目標零部件對晶圓的影響區域;獲取所述晶圓經芯片生產機臺處理后的待比較晶圓圖,所述目標零部件是所述芯片生產機臺的部件;基于所述特征尺寸晶圓圖和所述待比較晶圓圖,預測所述目標零部件的異常幾率。
可選的,所述方法還包括:當所述目標零部件的異常幾率大于預設閾值時,發出報警信息。
可選的,所述獲取目標零部件的特征尺寸晶圓圖的步驟,包括:提取所述目標零部件的尺寸特征;根據所述目標零部件的尺寸特征生成所述特征尺寸晶圓圖。
可選的,所述提取所述目標零部件的尺寸特征包括:對所述目標零部件的影像進行尺寸測量,以得到所述目標零部件的尺寸特征。
可選的,所述特征尺寸晶圓圖包括特征圖形和參照圖形,所述基于所述特征尺寸晶圓圖和所述待比較晶圓圖,預測所述目標零部件的異常幾率包括:統計所述待比較晶圓圖落入所述特征圖形覆蓋區域的失效芯片數和總芯片數;統計所述待比較晶圓圖落入所述參照圖形覆蓋區域的失效芯片數和總芯片數;根據統計結果計算得到所述異常幾率。
可選的,所述基于所述特征尺寸晶圓圖和所述待比較晶圓圖,預測所述目標零部件的異常幾率包括:獲取所述待比較晶圓圖落入所述特征圖形覆蓋區域的第一失效芯片數和第一總芯片數;獲取所述待比較晶圓圖落入所述參照圖形覆蓋區域的第二失效芯片數和第二總芯片數;根據所述第一失效芯片數、所述第一總芯片數、所述第二失效芯片數和所述第二總芯片數,計算目標零部件的異常幾率。
可選的,所述根據所述第一失效芯片數、所述第一總芯片數、所述第二失效芯片數和所述第二總芯片數,計算目標零部件的異常幾率包括:根據第一失效芯片占比和第二失效芯片占比,確定所述異常幾率;其中,所述第一失效芯片占比為所述第一失效芯片數和第一總芯片數的比值;所述第二失效芯片占比為所述第二失效芯片數與所述第二總芯片數的比值。
可選的,所述第一失效芯片占比越大且所述第二失效芯片占比越小,所述異常幾率越大。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





