[發(fā)明專(zhuān)利]用于芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的零部件異常自動(dòng)偵測(cè)方法、存儲(chǔ)介質(zhì)、終端在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011403362.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112582292A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 全芯智造技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/66 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱薇蕾;張振軍 |
| 地址: | 230088 安徽省合肥市高新區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 芯片 生產(chǎn) 機(jī)臺(tái) 零部件 異常 自動(dòng) 偵測(cè) 方法 存儲(chǔ) 介質(zhì) 終端 | ||
1.一種用于芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的零部件異常自動(dòng)偵測(cè)方法,其特征在于,包括:
獲取目標(biāo)零部件的特征尺寸晶圓圖,所述特征尺寸晶圓圖用于描述所述目標(biāo)零部件對(duì)晶圓的影響區(qū)域;
獲取所述晶圓經(jīng)芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)處理后的待比較晶圓圖,所述目標(biāo)零部件是所述芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的部件;
基于所述特征尺寸晶圓圖和所述待比較晶圓圖,預(yù)測(cè)所述目標(biāo)零部件的異常幾率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,還包括:
當(dāng)所述目標(biāo)零部件的異常幾率大于預(yù)設(shè)閾值時(shí),發(fā)出報(bào)警信息。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,所述獲取目標(biāo)零部件的特征尺寸晶圓圖的步驟,包括:
提取所述目標(biāo)零部件的尺寸特征;
根據(jù)所述目標(biāo)零部件的尺寸特征生成所述特征尺寸晶圓圖。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,所述特征尺寸晶圓圖包括特征圖形和參照?qǐng)D形;
所述基于所述特征尺寸晶圓圖和所述待比較晶圓圖,預(yù)測(cè)所述目標(biāo)零部件的異常幾率包括:
獲取所述待比較晶圓圖落入所述特征圖形覆蓋區(qū)域的第一失效芯片數(shù)和第一總芯片數(shù);
獲取所述待比較晶圓圖落入所述參照?qǐng)D形覆蓋區(qū)域的第二失效芯片數(shù)和第二總芯片數(shù);
根據(jù)所述第一失效芯片數(shù)、所述第一總芯片數(shù)、所述第二失效芯片數(shù)和所述第二總芯片數(shù),計(jì)算目標(biāo)零部件的異常幾率。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述方法,其特征在于,所述根據(jù)所述第一失效芯片數(shù)、所述第一總芯片數(shù)、所述第二失效芯片數(shù)和所述第二總芯片數(shù),計(jì)算目標(biāo)零部件的異常幾率包括:
根據(jù)第一失效芯片占比和第二失效芯片占比,確定所述異常幾率;
其中,所述第一失效芯片占比為所述第一失效芯片數(shù)和第一總芯片數(shù)的比值;所述第二失效芯片占比為所述第二失效芯片數(shù)與所述第二總芯片數(shù)的比值;所述第一失效芯片占比越大且所述第二失效芯片占比越小,所述異常幾率越大。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述方法,其特征在于,所述根據(jù)所述第一失效芯片數(shù)、所述第一總芯片數(shù)、所述第二失效芯片數(shù)和所述第二總芯片數(shù),計(jì)算目標(biāo)零部件的異常幾率包括:
根據(jù)所述第一失效芯片數(shù)、所述第一總芯片數(shù)、所述第二失效芯片數(shù)和所述第二總芯片數(shù),計(jì)算目標(biāo)零部件的假設(shè)幾率;
根據(jù)所述假設(shè)幾率確定所述異常幾率;
其中,所述假設(shè)幾率基于如下公式計(jì)算得到:
其中,Hvalue為所述假設(shè)幾率,F(xiàn)ailin為所述第一失效芯片數(shù),Totalin為所述第一總芯片數(shù),F(xiàn)ailout為所述第二失效芯片數(shù),Totalout為所述第二總芯片數(shù),limit為預(yù)設(shè)比較閾值。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述方法,其特征在于,所述特征圖形為晶圓上與所述目標(biāo)零部件直接接觸的芯片構(gòu)成的圖形,所述參照?qǐng)D形是以所述特征圖形為基準(zhǔn)擴(kuò)展得到的圖形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,所述基于所述特征尺寸晶圓圖和所述待比較晶圓圖,預(yù)測(cè)所述目標(biāo)零部件的異常幾率包括:
將所述待比較晶圓圖按預(yù)設(shè)角度旋轉(zhuǎn);
基于所述特征尺寸晶圓圖和本次旋轉(zhuǎn)得到的待比較晶圓圖預(yù)測(cè)所述目標(biāo)零部件的異常幾率。
9.一種存儲(chǔ)介質(zhì),其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,所述計(jì)算機(jī)程序被處理器運(yùn)行時(shí)執(zhí)行權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述方法的步驟。
10.一種終端,包括存儲(chǔ)器和處理器,所述存儲(chǔ)器上存儲(chǔ)有能夠在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,所述處理器運(yùn)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)執(zhí)行權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述方法的步驟。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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