[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011400802.3
• 申請日: 2016-08-29
• 公開（公告）號: CN112530943A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 李彥儒;李啟弘;郭建億;丁姮彣;戴榮吉;舒麗麗;林資敬
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

襯底，在所述襯底中具有多個半導體鰭；

至少一個第一隔離結構，設置在所述半導體鰭之間；

至少兩個第二隔離結構，其中，所述半導體鰭設置在所述第二隔離結構之間，并且所述第二隔離結構比所述第一隔離結構更多地延伸進所述襯底中；以及

外延結構，設置在所述半導體鰭上，所述外延結構下方的所述半導體鰭的頂面低于所述第一隔離結構和所述第二隔離結構中的任意一個的頂面，使得所述外延結構形成在所述第一隔離結構、所述第二隔離結構和所述半導體鰭的頂面限定的凹槽中并且生長至所述凹槽上方，其中，在相鄰的所述凹槽之間和所述外延結構下方存在空隙，

其中，所述外延結構從所述凹槽的頂部處開始橫向變寬。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述外延結構具有頂面，并且使所述外延結構的頂面的至少一部分凹進。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述外延結構具有鄰近所述空隙的底面，并且使所述外延結構的底面的至少一部分凹進以形成所述空隙。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述外延結構中具有至少一個槽。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述外延結構包括彼此間隔開并且分別設置在所述半導體鰭上的多個外延部分。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中，所述外延部分為刻面形狀。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

側壁結構，設置在所述第一隔離結構與所述空隙之間。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一隔離結構包括第一部分和第二部分，并且所述半導體器件還包括：

柵極堆疊件，覆蓋所述第一隔離結構的第一部分而保持所述第一隔離結構的第二部分未被覆蓋。

9.一種半導體器件，包括：

多個器件間隔離結構；

至少一個冠狀有源區域，設置在所述器件間隔離結構之間，其中，所述冠狀有源區域包括：

多個半導體鰭；

至少一個器件內隔離結構，設置在所述半導體鰭之間；

多個第二隔離結構，其中，所述半導體鰭設置在所述第二隔離結構之間，并且所述第二隔離結構比所述器件內隔離結構更多地延伸進所述襯底中；；和

連續的半導體區域，位于所述半導體鰭和所述器件內隔離結構下面；以及

外延結構，設置在所述半導體鰭上，其中，所述外延結構下方的所述半導體鰭的頂面低于所述器件內隔離結構和所述第二隔離結構中的任意一個的頂面，所述外延結構形成在所述器件內隔離結構、所述第二隔離結構和所述半導體鰭的頂面限定的凹槽中并且生長至所述凹槽上方，在相鄰的所述凹槽之間和所述外延結構下方存在空隙，

其中，所述外延結構從所述凹槽的頂部處開始橫向變寬。

10.一種用于制造半導體器件的方法，包括：

在襯底中形成至少一個第一隔離結構和多個第二隔離結構，其中，所述第二隔離結構比所述第一隔離結構更多地延伸進所述襯底中，所述第二隔離結構在所述襯底中限定冠狀結構，并且所述第一隔離結構在所述皇冠結構中限定多個半導體鰭；

在所述半導體鰭的第一部分和所述第一隔離結構的第一部分上面形成柵極堆疊件，同時暴露所述半導體鰭的第二部分和所述第一隔離結構的第二部分；

去除所述半導體鰭的第二部分中的一部分以使得所述半導體鰭的剩余的第二部分的頂面低于所述第一隔離結構和所述第二隔離結構中的任意一個的頂面；以及

在所述第一隔離結構的所述第二部分、所述第二隔離結構和所述半導體鰭的剩余的第二部分的頂面限定的凹槽中以及上方形成外延結構，其中，所述外延結構在相鄰的所述凹槽之間和所述外延結構下方留下空隙，

其中，所述外延結構從所述凹槽的頂部處開始橫向變寬。