[發明專利]微發光二極管的轉移方法及轉移設備

有效

• 申請號: 202011400615.5
• 申請日: 2020-12-02
• 公開（公告）號: CN112582519B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 李慶;韋冬;于波;顧楊
• 申請（專利權）人: 蘇州芯聚半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L21/67;H01L27/15
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 常偉

本發明提供一種微發光二極管的轉移方法及轉移設備，轉移方法包括：S1、提供包括多個第一微發光二極管的第一基板，獲取多個第一微發光二極管中異常微發光二極管的位置信息；S2、提供包括多個第二微發光二極管的第二基板，適配位置信息至第二基板上，標記與位置信息對應的第二微發光二極管為目標微發光二極管；S3、提供第三基板，壓合第二基板至第三基板上，以使目標微發光二極管與第三基板上對應的接收端子對應；S4、轉移目標微發光二極管至第三基板上，移除第二基板；S5、剝離異常微發光二極管形成空缺，壓合第一基板至第三基板，空缺與目標微發光二極管對應；S6、轉移多個第一微發光二極管至第三基板上對應的接收端子上。

技術領域

本發明實施例涉及顯示技術，尤其涉及一種微發光二極管的轉移方法及轉移設備。

背景技術

微發光二極管(MicroLED)技術，是指通過在襯底上集成高密度微小尺寸的 LED陣列制造微發光LED裝置，來實現微發光LED裝置的薄膜化、微小化和矩陣化。這種LED陣列中相鄰像素點之間的距離達到微米級別，其實現的LED 裝置體積小，功耗低，亮度高，具備超高解析度和色彩飽和度。并且，微發光二極管陣列的響應速度更快，壽命更長。目前，基于微LED的顯示技術已經在顯示領域中獲得了廣泛的應用，包括智能電話和智能手表等。

Micro-LED顯示面板的制備工藝中，重點在于Micro-LED芯片的巨量轉移技術，即將制作Micro-LED芯片的原始基板上的Micro-LED芯片轉移至顯示面板的電路母板母板上的技術。具體的，通過轉印吸盤的多個轉印頭分批次對應拾取LED微粒，并將LED微粒分別轉印至接收基板對應區域，由于當前微發光二極管工藝技術的限制，制作完成的LED陣列存在部分壞點，在轉印的過程中，容易將壞點LED微粒一同轉移到接收基板上，影響Micro-LED陣列的顯示效果，為了在轉印時不將不需要進行轉移的微發光二極管拾取，提出通過設置控制臺，將不需要進行轉移的微發光二極管固定在控制臺上，以達到選擇性轉移的目的。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種微發光二極管的轉移方法及轉移設備，以在轉移微發光二極管陣列時，不需要進行轉移的異常微發光二極管不被拾取或轉移，保證轉移到驅動背板上的微發光二極管陣列的顯示效果。

為解決上述問題，本發明技術方案提供了一種微發光二極管的轉移方法，所述轉移方法包括：

S1、提供包括多個第一微發光二極管的第一基板，獲取多個第一微發光二極管中異常微發光二極管的位置信息；

S2、提供包括多個第二微發光二極管的第二基板，適配所述位置信息至所述第二基板上，標記與所述位置信息對應的第二微發光二極管為目標微發光二極管；

S3、提供第三基板，所述第三基板上設有多個接收端子，壓合所述第二基板至所述第三基板上，以使所述多個第二微發光二極管和所述目標微發光二極管分別與所述多個接收端子對應；

S4、轉移所述第二基板上的所述目標微發光二極管至對應的接收端子上，移除所述第二基板；

S5、剝離所述第一基板上的異常微發光二極管并形成空缺，壓合所述第一基板至所述第三基板上，所述空缺與所述目標微發光二極管相互對應；以及

S6、轉移所述多個第一微發光二極管至所述第三基板上對應的接收端子上。

作為可選的技術方案，所述第一微發光二極管和所述第二發光二極管為相同顏色的微發光二極管。

作為可選的技術方案，所述S2中，適配所述位置信息至所述第二基板上，標記與所述位置信息對應的第二微發光二極管為目標微發光二極管還包括：

S21、判斷所述第一基板的尺寸和所述第二基板的尺寸是否相同；若是，則進入S22；若否，則進入S23；

S22、依據所述位置信息，標記所述第二基板上與所述位置信息對應的第二發光二極管為所述目標微發光二極管；