[發明專利]微發光二極管的轉移方法及轉移設備

有效

• 申請號: 202011400615.5
• 申請日: 2020-12-02
• 公開（公告）號: CN112582519B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 李慶;韋冬;于波;顧楊
• 申請（專利權）人: 蘇州芯聚半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L21/67;H01L27/15
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 常偉

1.一種微發光二極管的轉移方法，其特征在于，所述轉移方法包括：

S1、提供包括多個第一微發光二極管的第一基板，獲取多個第一微發光二極管中異常微發光二極管的位置信息；

S2、提供包括多個第二微發光二極管的第二基板，適配所述位置信息至所述第二基板上，標記與所述位置信息對應的第二微發光二極管為目標微發光二極管；

S3、提供第三基板，所述第三基板上設有多個接收端子，壓合所述第二基板至所述第三基板上，以使所述多個第二微發光二極管和所述目標微發光二極管分別與所述多個接收端子對應；

S4、轉移所述第二基板上的所述目標微發光二極管至對應的接收端子上，移除所述第二基板；

S5、剝離所述第一基板上的異常微發光二極管并形成空缺，壓合所述第一基板至所述第三基板上，所述空缺與所述目標微發光二極管相互對應；以及

S6、轉移所述多個第一微發光二極管至所述第三基板上對應的接收端子上。

2.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，所述第一微發光二極管和所述第二微發光二極管為相同顏色的微發光二極管。

3.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，所述S2中，適配所述位置信息至所述第二基板上，標記與所述位置信息對應的第二微發光二極管為目標微發光二極管還包括：

S21、判斷所述第一基板的尺寸和所述第二基板的尺寸是否相同；若是，則進入S22；若否，則進入S23；

S22、依據所述位置信息，標記所述第二基板上與所述位置信息對應的第二微 發光二極管為所述目標微發光二極管；

S23、控制所述第一基板的中心與所述第二基板的中心對齊，以使所述第一基板上所述異常微發光二極管的投影覆蓋在所述第二基板上，以及標記與所述異常微發光二極管的投影覆蓋的第二微發光二極管為所述目標微發光二極管。

4.根據權利要求3所述的轉移方法，其特征在于，所述S21還包括：

獲取所述第二基板上多個第二微發光二極管中的異常微發光二極管的位置信息，判斷所述多個第二微發光二極管中的異常微發光二極管的位置信息是否與所述多個第一微發光二極管中的異常微發光二極管的位置信息相互重合，若否，則依據多個第一微發光二極管中的異常微發光二極管的位置信息，標記所述第二基板上相對應的第二微發光二極管為所述目標微發光二極管。

5.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，還包括，

S7、判斷所述第三基板的尺寸是否大于第一基板的尺寸，若是，則進入S8；

S8、重復上述S1至S6，繼續轉移多個所述第一微發光二極管和多個目標微發光二極管至所述第三基板對應的接收端子上，形成顯示面板。

6.根據權利要求5所述的轉移方法，其特征在于，所述第三基板的尺寸與所述第一基板的尺寸之間為倍數關系。

7.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，

所述S4中還包括：照射激光至所述目標微發光二極管上，使得所述目標微發光二極管與所述第二基板剝離，所述目標微發光二極管轉移至所述第三基板對應的接收端子上；

所述S6中還包括：照射激光至所述多個第一微發光二極管上，使得所述多個第一微發光二極管與所述第一基板剝離，所述多個第一微發光二極管轉移至所述第三基板對應的接收端子上。

8.根據權利要求1所述的轉移方法，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板分別為透明基板。

9.一種微發光二極管的轉移設備，其特征在于，所述轉移設備包括：

處理單元，所述處理單元獲取第一基板上多個第一微發光二極管中異常微發光二極管的位置信息，以及，將所述位置信息適配到第二基板上，標記所述第二基板上與所述位置信息對應的第二微發光二極管為目標微發光二極管；

邦定單元，所述邦定單元與所述處理單元連接，所述邦定單元用于分別壓合所述第二基板和所述第一基板至第三基板上；以及

激光剝離單元，所述激光剝離單元與所述處理單元連接，所述激光剝離單元用于剝離所述目標微發光二極管、所述異常微發光二極管以及所述多個第一微發光二極管；

其中，所述多個第一微發光二極管移除所述異常微發光二極管后的其他第一微發光二極管和所述目標微發光二極管分別轉移至所述第三基板上對應的接收端子上。