[發(fā)明專利]聲波諧振器、濾波器、多路復用器和晶片

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011400523.7
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN112929004A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發(fā)明（設計）人: 小宮山凌平
• 申請（專利權(quán)）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25;H03H9/64;H03H9/72;H03H9/145;H03H9/05;H03H9/02;H03H3/10
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 趙彤;劉久亮

1.一種聲波諧振器，該聲波諧振器包括：

支撐基板；

壓電層，所述壓電層設置在所述支撐基板上，并且是切割角在大于50°且小于150°的范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)的Y切割X傳播的鉭酸鋰；以及

一對梳狀電極，所述一對梳狀電極設置在所述壓電層上，所述梳狀電極中的每一個包括多個電極指，所述梳狀電極中的一個的電極指的平均節(jié)距等于或大于所述壓電層的厚度的1/2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波諧振器，該聲波諧振器還包括絕緣層，所述絕緣層插置在所述支撐基板與所述壓電層之間，所述絕緣層包含氧化硅，并且所述絕緣層具有與所述壓電層的彈性常數(shù)的溫度系數(shù)符號相反的彈性常數(shù)的溫度系數(shù)，

其中，所述梳狀電極中的一個的所述電極指的平均節(jié)距等于或大于所述壓電層的上表面與所述絕緣層的下表面之間的距離的1/2。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲波諧振器，其中，所述壓電層是切割角在大于50°且小于或等于90°的范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)的Y切割X傳播的鉭酸鋰。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的聲波諧振器，其中，所述壓電層是切割角在大于50°且小于或等于70°的范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)的Y切割X傳播的鉭酸鋰。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的聲波諧振器，其中，所述壓電層是切割角在大于70°且小于或等于90°的范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)的Y切割X傳播的鉭酸鋰。

6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的聲波諧振器，

其中，所述絕緣層的厚度等于或大于所述梳狀電極中的一個的所述電極指的平均節(jié)距的0.1倍并且等于或小于所述梳狀電極中的一個的所述電極指的平均節(jié)距的0.7倍，

其中，所述壓電層的厚度等于或大于所述梳狀電極中的一個的所述電極指的平均節(jié)距的0.2倍并且等于或小于所述梳狀電極中的一個的所述電極指的平均節(jié)距的0.6倍。

7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的聲波諧振器，

其中，所述絕緣層的厚度等于或大于所述梳狀電極中的一個的所述電極指的平均節(jié)距的0.3倍并且等于或小于所述梳狀電極中的一個的所述電極指的平均節(jié)距的0.7倍，

其中，所述壓電層的厚度等于或大于所述梳狀電極中的一個的所述電極指的平均節(jié)距的0.3倍并且等于或小于所述梳狀電極中的一個的所述電極指的平均節(jié)距的0.5倍。

8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的聲波諧振器，其中，所述絕緣層是二氧化硅層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的聲波諧振器，其中，所述梳狀電極中的一個的所述電極指的平均節(jié)距是通過將所述梳狀電極中的一個在所述電極指布置的方向上的長度除以所述電極指的數(shù)量而計算得到的值。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的聲波諧振器，其中，所述支撐基板是藍寶石基板、氧化鋁基板、硅基板、尖晶石基板、晶體基板、石英基板或碳化硅基板。

11.一種濾波器，該濾波器包括：

根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的聲波諧振器。

12.一種多路復用器，該多路復用器包括：

根據(jù)權(quán)利要求11所述的濾波器。

13.一種晶片，該晶片包括：

支撐基板；以及

壓電層，所述壓電層設置在所述支撐基板上，并且是切割角在大于50°且小于150°的范圍內(nèi)的旋轉(zhuǎn)的Y切割X傳播的鉭酸鋰。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片，該晶片還包括絕緣層，所述絕緣層插置在所述支撐基板與所述壓電層之間，所述絕緣層包含氧化硅，并且所述絕緣層具有與所述壓電層的彈性常數(shù)的溫度系數(shù)符號相反的彈性常數(shù)的溫度系數(shù)。