[發明專利]一種可以提高亮度的硅基OLED微顯示器制備方法和微顯示器

在審

• 申請號: 202011397148.5
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN112420973A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 蔡小若;劉永山;陳世忠
• 申請（專利權）人: 深圳市芯視佳半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 安徽濰達知識產權代理事務所(普通合伙) 34166
• 代理人: 張蘭

本發明屬于硅基OLED微顯示技術領域，本發明屬于硅基OLED微顯示技術領域，具體為一種可以提高亮度的硅基OLED微顯示器制備方法和微顯示器。本發明的技術方案克服了Ag電極干濕法刻蝕成功率和效率低下以及在對極小尺度、極高精度、極高密度陽極結構制備的限制的問題。與傳統的Al電極相比，光反射率大大提高，硅基OLED微顯示產品的亮度可以大幅提升。

技術領域

本發明屬于硅基OLED微顯示技術領域，具體為一種可以提高亮度的硅基OLED微顯示器制備方法和微顯示器。

背景技術

一般認為微型OLED顯示器指的是顯示尺寸在1英寸之下，基于硅基CMOS驅動的有機發光器件，像素分辨率高達800× 600以上，硅基OLED(Organic Light EmittingDisplay)被稱為下一代顯示技術的黑馬，現已廣泛應用于機戴頭盔、槍瞄、夜視儀等軍用市場，并且隨著AR/VR以及自動駕駛等新技術的應用，硅基OLED微顯示器將迎來爆發式的增長。

目前，傳統的硅基OLED微顯示產品主要存在亮度不足的問題，特別是應用AR和投影領域，這一問題愈發顯得嚴重。所以，提高硅基OLED產品的亮度成為本領域技術任意普遍想解決的技術問題。對于硅基OLED器件來說，一般的采用頂發射結構的OLED器件結構，而頂發射OLED的陽極對于制備高效率的OLED至關重要。這主要體現在既要求頂發射器件的陽極具備與OLED有機功能層良好的能級匹配性，又要求其具備高的反射率，常用的作為頂發射OLED的反射金屬的材料包括Ag等。而在硅基OLED領域中，Ag陽極極少使用。主要原因有以下幾個方面：1）金屬Ag并非晶圓廠所常用的金屬材料，使用金屬Ag需要在晶圓廠進行客制化的工藝定制，晶圓廠通常不愿意配合或者費用極其高昂；2）由于硅基OLED的高的像素分辨率，對于像素陽極制備的精度需要達到0.5um甚至更高，目前面板廠常用的Ag的濕法刻蝕工藝根本達不到這么高的精度要求，而干法刻蝕也存在刻蝕難度大刻蝕速率慢的問題。這就造成目前幾乎所有的硅基OLED工廠只能采用晶圓廠或者面板廠自制的Al陽極來解決這一問題，而性能更優的Ag電極的使用幾乎無法實現。

發明內容

鑒于背景技術中提出的技術問題，作為本發明的一個方面在于提供一種提高亮度的硅基OLED微顯示器制備方法。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種提高亮度的硅基OLED微顯示器制備方法，包括以下步驟：

S1、提供一硅基板；

S2、在硅基板淀積第一像素定義層，所述第一像素定義層包括但不限定于氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅；

S3、對第一像素定義層進行圖案化，并刻蝕，使得第一像素定義層形成倒角，并露出陽極像素區；

S4、涂布光刻膠層，并進行圖案化；

S5、在硅基板上沉積像素陽極層，所述像素陽極層至少包括Ag層以及位于Ag層之上的ITO層；

S6、去除光刻膠層，獲得制備像素陽極的硅基板。

進一步的，所述硅基板帶有CMOS驅動電路，所述硅基板具有第一表面和第二表面，所述CMOS驅動電路靠近硅基板的第二表面且遠離第一表面，所述第二表面最上方包含與OLED陽極連接的鎢閥。

優選的，所述步驟S2中，所述第一像素定義層采用PECVD的方法生長，所述第一像素定義層的厚度為100-2000 nm。

進一步的，所述步驟S4中光刻膠圖案化包括步驟光刻膠涂布、曝光、顯影、光刻膠剝離等步驟。

優選的，所述步驟S5中像素陽極層中還可以包括一層或者多層的連接層，所述連接層可以為Ti層或者TiN層,所述連接層的厚度為1-10 nm。

進一步的，所述步驟S6中光刻膠去除的辦法可以為干法或者濕法剝離。