[發明專利]一種可以提高亮度的硅基OLED微顯示器制備方法和微顯示器

在審

• 申請號: 202011397148.5
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN112420973A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 蔡小若;劉永山;陳世忠
• 申請（專利權）人: 深圳市芯視佳半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 安徽濰達知識產權代理事務所(普通合伙) 34166
• 代理人: 張蘭

1.一種可以提高亮度的硅基OLED微顯示器制備方法，其特征在于包括以下步驟：

S1、提供一硅基板（100）；

S2、在硅基板（100）淀積第一像素定義層（200），所述第一像素定義層（200）包括但不限定于氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅；

S3、對第一像素定義層（200）進行圖案化，并刻蝕，使得第一像素定義層（200）形成倒角，并露出陽極像素區；

S4、涂布光刻膠層（300），并進行圖案化；

S5、在硅基板（100）上沉積像素陽極層（400），所述像素陽極層（400）至少包括Ag層以及位于Ag層之上的ITO層；

S6、去除光刻膠層（300），獲得制備像素陽極的硅基板。

2.根據權利要求1所述的硅基OLED微顯示器的制備方法，其特征在于：所述硅基板（100）帶有CMOS驅動電路，所述硅基板（100）具有第一表面和第二表面，所述CMOS驅動電路靠近硅基板（100）的第二表面且遠離第一表面，所述第二表面最上方包含與OLED陽極連接的鎢閥。

3.根據權利要求1所述的硅基OLED微顯示器的制備方法，其特征在于：所述步驟S2中，所述第一像素定義層（200）采用PECVD的方法生長，所述第一像素定義層（200）的厚度為100-2000nm。

4.根據權利要求1所述的硅基OLED微顯示器的制備方法，其特征在于：所述步驟S4中光刻膠圖案化包括步驟光刻膠涂布、曝光、顯影、光刻膠剝離等步驟。

5.根據權利要求1所述的硅基OLED微顯示器制備方法，其特征在于：所述步驟S5中像素陽極層（400）中還可以包括一層或者多層的連接層，所述連接層可以為Ti層或者TiN層,所述連接層的厚度為1-10 nm。

6.根據權利要求1所述的硅基OLED微顯示器的制備方法，其特征在于：所述步驟S6中光刻膠去除的辦法可以為干法或者濕法剝離。

7.根據權利要求1所述的硅基OLED微顯示器的制備方法，其特征在于：所述步驟S6完成后，還可以進行步驟S7：在硅基板（100）上淀積第二像素定義層（500），并對第二像素定義層進行圖案化和刻蝕，露出陽極像素區，完成硅基OLED像素陽極的制備。

8.根據權利要求1所述的硅基OLED微顯示器的制備方法，其特征在于：所述完成像素陽極的硅基板制備后，硅基OLED微顯示器的制備還包括以下步驟：OLED蒸鍍、薄膜封裝、彩膜制備、蓋板貼合、基板切割和綁定。

9.一種硅基OLED微顯示器，其特征在于采用如權利要求1-9中任意所述的方法制備。