[發明專利]一種多芯片封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 202011396509.4
• 申請日: 2020-12-03
• 公開（公告）號: CN112509926B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 孫德瑞
• 申請（專利權）人: 山東博通微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/50;H01L23/498;H01L23/367
• 代理公司: 杭州君和專利代理事務所(特殊普通合伙) 33442
• 代理人: 包雪雷

1.一種多芯片封裝結構的制造方法，其包括以下步驟：

(1)制造一電路板，所述電路板包括多層介質層和介于所述多層介質層之間的多層布線層，所述多層布線層的每一層上方均具有露出所述每一層的氣隙通路；其中，所述電路板具有第一承載區和第二承載區，所述多層布線層包括在第一承載區的第一多層布線層和在第二承載區的第二多層布線層，所述氣隙通路包括露出所述第一多層布線層的第一氣隙通路和露出所述第二多層布線層的第二氣隙通路；

(2)在所述第一承載區固定第一芯片，所述第一芯片電連接至所述第一多層布線層；在所述第二承載區固定第二芯片，所述第二芯片電連接至所述第二多層布線層；

(3)在所述電路板上固定一散熱罩，所述散熱罩蓋住所述第一芯片和第二芯片，其中所述散熱罩與所述電路板圍成第一空腔、第二空腔和第三空腔，其中所述第一芯片設置于所述第一空腔中，所述第二芯片設置于所述第二空腔中，所述第三空腔中未設置任何芯片。

2.根據權利要求1所述的多芯片封裝結構的制造方法，其特征在于，步驟(1)具體包括：

(11)在臨時襯底上形成第一介質層；

(12)在所述第一介質層上形成第一布線圖案和第二布線圖案；

(13)在所述第一布線圖案和第二布線圖案上形成第一光刻膠層和第二光刻膠層，所述第一光刻膠層至少覆蓋所述第一布線圖案的面積的一半，所述第二光刻膠層至少覆蓋所述第二布線圖案的面積的一半；

(14)在所述第一介質層上覆蓋第二介質層，并在所述第二介質層中形成電連接所述第一布線圖案的第一通孔、電連接所述第二布線圖案的第二通孔以及在所述第二介質層中的第三光刻膠層和第四光刻膠層；

(15)在所述第二介質層上形成第三布線圖案和第四布線圖案；其中，所述第一布線圖案和第三布線圖案構成第一多層布線層，所述第二布線圖案和第四布線圖案構成第二多層布線層；

(16)在所述第三布線圖案和第四布線圖案上形成第五光刻膠層和第六光刻膠層，所述第五光刻膠層至少覆蓋所述第三布線圖案的面積的一半，所述第六光刻膠層至少覆蓋所述第四布線圖案的面積的一半；

(17)在所述第二介質層上覆蓋第三介質層，并在所述第三介質層中形成電連接所述第三布線圖案的第三通孔、電連接所述第四布線圖案的第四通孔以及在所述第三介質層中的第七光刻膠層和第八光刻膠層；

(18)利用蝕刻工藝去除所述第一至第八光刻膠層，以形成在所述第一承載區的第一氣隙通路和在所述第二承載區的第二氣隙通路。

3.根據權利要求2所述的多芯片封裝結構的制造方法，其特征在于，蝕刻所述第一光刻膠層形成第一氣隙，蝕刻所述第二光刻膠層形成第二氣隙，蝕刻所述第三光刻膠層形成第一連接孔，蝕刻所述第四光刻膠層形成第二連接孔，蝕刻所述第五光刻膠層形成第三氣隙，蝕刻所述第六光刻膠層形成第四氣隙，蝕刻所述第七光刻膠層形成第第三連接孔，蝕刻所述第八光刻膠層形成第四連接孔；其中所述第一氣隙、第一連接孔、第三氣隙和第三連接孔連通構成所述第一氣隙通路，所述第二氣隙、第二連接孔、第四氣隙和第四連接孔連通構成所述第二氣隙通路。

4.根據權利要求3所述的多芯片封裝結構的制造方法，其特征在于，步驟(1)還包括：在所述第三介質層上形成在第一承載區的第一焊盤和在第二承載區的第二焊盤，其中所述第一芯片焊接于所述第一焊盤上，所述第二芯片焊接于所述第二焊盤上。

5.根據權利要求4所述的多芯片封裝結構的制造方法，其特征在于，所述散熱罩包括位于所述第一芯片和第二芯片之間的兩個隔離墻，兩個隔離墻與所述電路板圍成所述第三空腔。