[發明專利]鰭部高度的監控結構與鰭部高度的監控方法

有效

• 申請號: 202011390869.3
• 申請日: 2020-12-02
• 公開（公告）號: CN113035843B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 紀婉韻;靳怡君
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 宋興;劉芳

本發明提供一種鰭部高度的監控結構與鰭部高度的監控方法。鰭部高度的監控結構包括基底、多個隔離結構、第一字線與第二字線。基底包括第一區與第二區。隔離結構位于第一區的基底中，而定義出至少一個有源區。有源區中的基底具有高于隔離結構的鰭部。第一字線位于第一區的隔離結構與鰭部上。第二字線位于第二區的基底上。上述鰭部高度的監控結構可有效地且即時地監控鰭部高度。

技術領域

本發明涉及一種半導體元件的監控結構及半導體元件的監控方法，尤其涉及一種鰭部高度的監控結構與鰭部高度的監控方法。

背景技術

半導體的鰭部高度對于起始電壓(threshold?voltage)的影響甚巨，因此須在制作過程中監控鰭部高度的變化。然而，現行鰭部高度的監控方式并無法有效地且即時地監控鰭部高度，經常需要通過物性故障分析(physical?failure?analysis，PFA)等相關工具進行驗證以及量化，導致制作過程改善的進程無法縮短。

發明內容

本發明提供一種鰭部高度的監控結構與鰭部高度的監控方法，其可有效地且即時地監控鰭部高度。

本發明提出一種鰭部高度的監控結構，包括基底、多個隔離結構、第一字線與第二字線。基底包括第一區與第二區。隔離結構位于第一區的基底中，而定義出至少一個有源區(active?region)。有源區中的基底具有高于隔離結構的鰭部。第一字線位于第一區的隔離結構與鰭部上。第二字線位于第二區的基底上。

本發明提出一種鰭部高度的監控方法，包括以下步驟。提供上述鰭部高度的監控結構。測量第一字線的第一電阻值。測量第二字線的第二電阻值。通過第一電阻值與第二電阻值來監控鰭部的高度。

基于上述，在本發明所提出的鰭部高度的監控結構與鰭部高度的監控方法中，第一字線位于第一區的隔離結構與基底的鰭部上，因此第一字線的第一電阻值會同時受到第一字線的頂部至隔離結構的頂部的距離與第一字線的頂部至基底的頂部的距離的影響。此外，第二字線位于第二區的基底上，因此第二字線的第二電阻值只會受到第二字線的頂部至基底的頂部的距離的影響。如此一來，可通過第一電阻值與第二電阻值的相對性對鰭部高度進行監控，藉此可有效地且即時地監控鰭部高度。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1為本發明一實施例的鰭部高度的監控結構的上視圖；

圖2為沿著圖1中的I-I’剖面線與II-II’剖面線的剖面圖；

圖3為本發明一實施例的鰭部高度的監控方法的流程圖。

附圖標號說明：

10：鰭部高度的監控結構

100：基底

100a：鰭部

102：隔離結構

AA1、AA2：有源區

D1、D2、D3：延伸方向

d1、d2：距離

H：高度

L：長度

R1：第一區

R2：第二區

S100、S102、S104、S106、S108：步驟

SL：切割道

T：溝渠

W：寬度

WL1、WL2：字線

具體實施方式