[發明專利]鰭部高度的監控結構與鰭部高度的監控方法

有效

• 申請號: 202011390869.3
• 申請日: 2020-12-02
• 公開（公告）號: CN113035843B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 紀婉韻;靳怡君
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 宋興;劉芳

1.一種鰭部高度的監控結構，其特征在于，包括：

基底，包括第一區與第二區；

多個隔離結構，位于所述第一區的所述基底中，而定義出至少一個有源區，其中所述至少一個有源區中的所述基底具有高于所述多個隔離結構的至少一個鰭部；

第一字線，位于所述第一區的所述多個隔離結構與所述至少一個鰭部上；以及

第二字線，位于所述第二區的所述基底上，其中

所述第一字線的頂部至所述隔離結構的頂部的距離大于所述第二字線的頂部至所述第二區的所述基底的頂部的距離。

2.根據權利要求1所述的鰭部高度的監控結構，其特征在于，所述第一區與所述第二區位于芯片的切割道上。

3.根據權利要求1所述的鰭部高度的監控結構，其特征在于，所述多個隔離結構只位于所述第一區中。

4.根據權利要求1所述的鰭部高度的監控結構，其特征在于，所述第二字線不位于所述多個隔離結構上。

5.根據權利要求1所述的鰭部高度的監控結構，其特征在于，所述第一字線與所述第二字線具有相同長度與相同寬度。

6.根據權利要求1所述的鰭部高度的監控結構，其特征在于，所述第一字線的延伸方向相交于所述至少一個鰭部的延伸方向。

7.根據權利要求1所述的鰭部高度的監控結構，其特征在于，所述第一字線與所述第二字線為相同材料。

8.根據權利要求1所述的鰭部高度的監控結構，其特征在于，多個溝渠位于所述第一區的所述基底中，且所述多個隔離結構與部分所述第一字線位于所述多個溝渠中。

9.根據權利要求1所述的鰭部高度的監控結構，其特征在于，所述第一字線包括埋入式字線。

10.一種鰭部高度的監控方法，其特征在于，包括：

提供如權利要求1所述的鰭部高度的監控結構；

測量所述第一字線的第一電阻值；

測量所述第二字線的第二電阻值；以及

通過所述第一電阻值與所述第二電阻值來監控所述至少一個鰭部的高度。

11.根據權利要求10所述的鰭部高度的監控方法，其特征在于，通過所述第一電阻值與所述第二電阻值的比值來監控所述至少一個鰭部的高度。

12.根據權利要求11所述的鰭部高度的監控方法，其特征在于，所述第一電阻值與所述第二電阻值的比值與所述至少一個鰭部的高度為負相關。

13.根據權利要求10所述的鰭部高度的監控方法，其特征在于，所述第二電阻值大于所述第一電阻值。

14.根據權利要求10所述的鰭部高度的監控方法，其特征在于，還包括計算出所述至少一個鰭部的高度，其中所述至少一個鰭部的高度的計算方法包括：將所述第一電阻值設為Rs1，將所述第二電阻值設為Rs2，將所述第一字線的頂部至所述多個隔離結構的頂部的距離設為d1，將所述第一字線的頂部至所述基底的頂部的距離與所述第二字線的頂部至所述基底的頂部的距離設為d2，且所述d1由式1表示：

[式1]

15.根據權利要求14所述的鰭部高度的監控方法，其特征在于，所述至少一個鰭部的高度的計算方法還包括將所述至少一個鰭部的高度設為H，且所述H由式2表示：

[式2]