[發明專利]閃速存儲器、感測電路及確定存儲單元存儲狀態的方法

有效

• 申請號: 202011389897.3
• 申請日: 2020-12-02
• 公開（公告）號: CN112509615B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 喬梁;梁軻
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C5/02
• 分類號: G11C5/02;G11C5/06;G11C5/14
• 代理公司: 北京英思普睿知識產權代理有限公司 16018
• 代理人: 劉瑩;聶國斌

本申請涉及閃速存儲器、感測電路及確定存儲單元存儲狀態的方法。感測電路包括第一開關、第二開關、隔離開關和狀態確定單元，其中，第一開關包括連接至系統電壓源的輸入端，以及連接至隔離開關的輸入端的輸出端；隔離開關包括連接至第一開關的輸出端的輸入端，以及連接至適于與待檢測存儲單元連接的感測節點的輸出端；第二開關包括連接至隔離開關的輸出端的輸入端；以及適于與包括待檢測存儲單元的存儲單元串連接的輸出端；狀態確定單元連接至感測節點并設置為根據感測節點的電壓確定待檢測存儲單元的存儲狀態。

技術領域

本申請涉及存儲裝置，更具體地，涉及閃速存儲器、閃速存儲器中的感測電路和通過感測電路確定待檢測存儲單元的存儲狀態的方法。

背景技術

閃速存儲器是一種非易失性存儲器，其能夠在不加電的情況下保持所存儲的數據。相較于傳統硬盤，閃速存儲器具有更快的讀取速度、更低的功耗、更好的抗震性等優點，也因此被越來越多的應用。例如，閃速存儲器常被用到諸如個人計算機、數字相機、數字媒體播放器、數字記錄儀、車輛、無線裝置、蜂窩電話和可拆卸存儲模塊的電子系統中。

閃速存儲器可分為NOR閃存和NAND閃存。以NAND閃存為例，在使用中，需要對特定存儲單元進行擦除和寫入操作，而在這些操作中需要針對所述特定存儲單元的狀態進行驗證或讀取的感測電路。傳統的感測電路通過先將連接至閃速存儲器中某一位線的感測節點充電，再通過檢測該感測節點處在通過所述位線放電后的感測電壓來確定與所述位線對應的被選中存儲單元的存儲狀態。在這種感測電路中，與不同存儲狀態對應的感測電壓較為接近，可能會影響到狀態識別的準確性。

后來提出的感測電路通過設置升壓驅動器來進一步分離與不同存儲狀態對應的感測電壓，以此來提高存儲狀態的識別準確率。然而，這種感測電路需要在用于預充電感測節點的預充電開關處設置單獨的N阱(N-well)來防止升壓引起的電流泄露，這增加了感測電路的設計尺寸，不利于閃速存儲器小型化趨勢。此外，在上述兩種方案中，預充電開關的控制信號需要在對其它頁緩沖器進行操作時進過多次變化，這提高了感測電路的功耗。

因此，需要一種能夠減小設計尺寸和/或功耗的感測電路。

應當理解，本背景技術部分旨在部分地為理解本技術提供有用的背景，而并不意味著這些內容在本申請之前已經必然是本領域技術人員已知的現有技術。

發明內容

本公開的一個方面提供了一種感測電路，其第一開關、第二開關、隔離開關和狀態確定單元，其中，第一開關包括連接至系統電壓源的輸入端，以及連接至隔離開關的輸入端的輸出端；隔離開關包括連接至第一開關的輸出端的輸入端，以及連接至適于與待檢測存儲單元連接的感測節點的輸出端；第二開關包括連接至隔離開關的輸出端的輸入端；以及適于與包括待檢測存儲單元的存儲單元串連接的輸出端；狀態確定單元連接至感測節點并設置為根據感測節點的電壓確定待檢測存儲單元的存儲狀態。

根據一個實施方式，隔離開關為低壓N型器件。

根據一個實施方式，隔離開關為低壓N型金屬氧化物半導體晶體管。

根據一個實施方式，狀態確定單元配置為通過將感測節點的電壓與參考電壓進行比較來確定待檢測存儲單元的存儲狀態。

根據一個實施方式，感測電路還包括第三開關，第三開關包括：連接至第二開關的輸出端的輸入端；以及連接至存儲單元串的輸出端。

根據一個實施方式，在第三開關的輸出端和地之間形成有寄生電容。

根據一個實施方式，感測電路還包括第四開關，第四開關包括：連接至系統電壓源的輸入端；以及連接至第三開關的輸入端的輸出端。

根據一個實施方式，第一開關、第二開關、第三開關和第四開關為金屬氧化物半導體晶體管。

根據一個實施方式，第一開關為P型金屬氧化物半導體晶體管。