[發明專利]3D邏輯芯片電容電路、邏輯芯片及電子設備在審
| 申請號: | 202011389073.6 | 申請日: | 2020-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN112510037A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 于國慶;王嵩 | 申請(專利權)人: | 西安紫光國芯半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/06 | 分類號: | H01L27/06;H01L25/18 |
| 代理公司: | 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570 | 代理人: | 吳瑩 |
| 地址: | 710075 陜西省西安*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 邏輯 芯片 電容 電路 電子設備 | ||
1.一種3D邏輯芯片電容電路,其特征在于,包括:邏輯芯片功能電路和存儲芯片借用電容,
所述存儲芯片借用電容設置在所述邏輯芯片上,用于為所述邏輯芯片功能電路的耗電元件提供電荷。
2.根據權利要求1所述的邏輯芯片電容電路,其特征在于,所述存儲芯片借用電容為設置有高介電常數介質層的高密度電容。
3.根據權利要求1或2所述的邏輯芯片電容電路,其特征在于,
所述存儲芯片借用電容通過3D-IC三維集成電路技術靠近所述邏輯芯片功能電路的耗電元件設置。
4.根據權利要求3所述的邏輯芯片電容電路,其特征在于,
所述存儲芯片借用電容為一個或兩個以上。
5.根據權利要求3所述的邏輯芯片電容電路,其特征在于,
所述邏輯芯片功能電路包括開關電容電路,所述存儲芯片借用電容用于所述開關電容電路。
6.根據權利要求3所述的邏輯芯片電容電路,其特征在于,
所述邏輯芯片功能電路包括線性穩壓電路,所述存儲芯片借用電容設置在所述線性穩壓電路的電壓輸出端。
7.根據權利要求3所述的邏輯芯片電容電路,其特征在于,
所述邏輯芯片功能電路包括電荷泵電路,所述存儲芯片借用電容為所述電荷泵電路的自舉電容。
8.一種邏輯芯片,其特征在于:包括如權利要求1至7中任一項所述的邏輯芯片電容電路。
9.一種電子設備,其特征在于:包括如權利要求8所述的邏輯芯片和設置有所述存儲芯片借用電容的存儲芯片,所述邏輯芯片與所述存儲芯片相連接。
10.根據權利要求9所述的電子設備,其特征在于,所述邏輯芯片和所述存儲芯片通過3D-IC三維集成電路技術相連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





