[發(fā)明專(zhuān)利]一種用于光刻機(jī)的晶圓載臺(tái)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011388274.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112614805A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周杰;張琪;符友銀;李俊毅 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京新毅東科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/687 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 合肥律眾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34147 | 代理人: | 侯克邦 |
| 地址: | 100043 北京市石景*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 光刻 晶圓載臺(tái) | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于光刻機(jī)的晶圓載臺(tái),包括晶圓載臺(tái)本體,晶圓載臺(tái)本體的底部固定連接有承載柱,晶圓載臺(tái)本體的外側(cè)固定連接有三個(gè)支撐板,支撐板的一側(cè)固定連接有限位柱,晶圓載臺(tái)本體的頂部設(shè)置有晶圓,晶圓的正下方設(shè)置有光學(xué)傳感器,光學(xué)傳感器的設(shè)置范圍應(yīng)在晶圓的圓周范圍內(nèi),三個(gè)支撐板沿晶圓載臺(tái)本體的圓心設(shè)置,且每個(gè)支撐板之間夾角的度數(shù)為120°,支撐板的頂面與晶圓載臺(tái)本體的頂面平齊,支撐板的厚度為晶圓載臺(tái)本體的厚度的二分之一。該種用于光刻機(jī)的晶圓載臺(tái),可有效的使晶圓能夠平穩(wěn)的放置在晶圓載臺(tái)本體的上表面,使晶圓不會(huì)產(chǎn)生傾斜,避免晶圓被損壞,造成損失,使晶圓可輕松的從晶圓載臺(tái)本體上進(jìn)行拆卸。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶圓載臺(tái)技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種用于光刻機(jī)的晶圓載臺(tái)。
背景技術(shù)
電子產(chǎn)品的生產(chǎn)和制造離不開(kāi)半導(dǎo)體行業(yè),該行業(yè)利用各種先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備,對(duì)晶圓進(jìn)行多層次的復(fù)雜工藝處理,以提供符合電子產(chǎn)品要求的芯片。晶圓在進(jìn)入半導(dǎo)體設(shè)備接受工藝處理時(shí),不能被簡(jiǎn)單放置,而是需要有專(zhuān)門(mén)的裝置對(duì)其進(jìn)行定位和固持,以保證工藝效果。這樣的裝置,在行業(yè)中有著多種名稱(chēng),通常可以被稱(chēng)之為晶圓載臺(tái)。
光刻是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟,將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝。在此之后,晶圓表面會(huì)留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。通過(guò)光刻工藝過(guò)程,最終在晶圓上保留的是特征圖形部分。其基本原理是:利用光致抗蝕劑(或稱(chēng)光刻膠)曝光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn),將掩模板上的圖形刻制到被加工的晶片表面上。
晶圓是指制作硅半導(dǎo)體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種,然后慢慢拉出,形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過(guò)研磨,拋光,切片后,形成硅晶圓片,也就是晶圓。目前國(guó)內(nèi)晶圓生產(chǎn)線以 8英寸和 12 英寸為主。
晶圓的主要加工方式為片加工和批加工,即同時(shí)加工一片或多片晶圓。隨著半導(dǎo)體特征尺寸越來(lái)越小,加工及測(cè)量設(shè)備越來(lái)越先進(jìn),使得晶圓加工出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。同時(shí),特征尺寸的減小,使得晶圓加工時(shí),空氣中的顆粒數(shù)對(duì)晶圓加工后質(zhì)量及可靠性的影響增大,而隨著潔凈的提高,顆粒數(shù)也出現(xiàn)了新的數(shù)據(jù)特點(diǎn)。
目前,現(xiàn)有的晶圓在裝卸時(shí),需要將晶圓的中心對(duì)準(zhǔn)晶圓載臺(tái)的中心,如果晶圓沒(méi)有平穩(wěn)的放置在晶圓載臺(tái)上,晶圓處于傾斜狀態(tài),很容易造成晶圓損毀,造成損失,同時(shí)晶圓在拆卸時(shí)由于有液體存在晶圓表面和載臺(tái)之間,會(huì)存在較大的液體表面張力,使晶圓難以拆卸,因此我們對(duì)此做出改進(jìn),提出一種用于光刻機(jī)的晶圓載臺(tái)。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案:
本發(fā)明一種用于光刻機(jī)的晶圓載臺(tái),包括晶圓載臺(tái)本體,所述晶圓載臺(tái)本體的底部固定連接有承載柱,所述晶圓載臺(tái)本體的外側(cè)固定連接有三個(gè)支撐板,所述支撐板的一側(cè)固定連接有限位柱,所述晶圓載臺(tái)本體的頂部設(shè)置有晶圓,所述晶圓的正下方設(shè)置有光學(xué)傳感器,所述光學(xué)傳感器的設(shè)置范圍應(yīng)在晶圓的圓周范圍內(nèi)。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,三個(gè)所述支撐板沿晶圓載臺(tái)本體的圓心設(shè)置,且每個(gè)支撐板之間夾角的度數(shù)為120°。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述支撐板的頂面與晶圓載臺(tái)本體的頂面平齊,所述支撐板的厚度為晶圓載臺(tái)本體的厚度的二分之一。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述晶圓載臺(tái)本體的內(nèi)部設(shè)置有第一通孔,且第一通孔的圓心和晶圓載臺(tái)本體的圓心為同一點(diǎn),所述晶圓載臺(tái)本體內(nèi)部設(shè)置有四個(gè)第二通孔,四個(gè)所述第二通孔沿晶圓載臺(tái)本體的圓心為軸在360°范圍內(nèi)均勻設(shè)置。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述晶圓載臺(tái)本體內(nèi)部分別設(shè)置有第一間隙和第二間隙。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述第一間隙的圓心和第二間隙的圓心為同一圓心,且均以晶圓載臺(tái)本體的圓心設(shè)置。
作為本發(fā)明的一種優(yōu)選技術(shù)方案,所述第一間隙和第二間隙均為環(huán)形,所述第一間隙的半徑大于第二間隙的半徑。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





