[發明專利]一種錫滴發生裝置

有效

• 申請號: 202011386184.1
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112540512B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 伍強;李艷麗;顧崢
• 申請（專利權）人: 上海集成電路裝備材料產業創新中心有限公司;上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;B05B1/00;B05B15/50
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陳慧弘

本發明公開了一種錫滴發生裝置，包括：倒置的錫滴發生器本體；在所述錫滴發生器本體的噴嘴上方設置有錫池，所述錫池與所述噴嘴聯通；所述錫池上設置有加熱線圈，用于對錫池中的錫進行加熱，使其保持熔融態。本發明的錫滴發生裝置采用倒置結構設計，將錫滴的噴射方向改變為由下至上，并且在噴嘴部分設計了錫池結構，從而將噴嘴用薄層熔融態的錫液面保護，避免噴頭由于錫的殘留或者雜質累積。

技術領域

本發明涉及集成電路制造光刻設備技術領域，特別是涉及一種錫滴發生裝置。

背景技術

現在主流極紫外(Extremely Ultra-Violet，EUV)光刻機采用激光激勵等離子體(Laser Produced Plasma，LPP)光源，并且靶材料采用錫(Sn)。如附圖1所示，在現有的光刻機中，錫由錫滴發生器2中的加熱裝置加熱到熔融狀態后，逐滴向下噴出。脈沖激光發生器1(一般采用二氧化碳氣體激光器)發出的脈沖激光束經過聚焦透鏡3聚焦在下落的錫滴上，將其加熱到等離子體狀態，從而產生包括13.5nm極紫外光的輻射。錫滴的噴射頻率一般為50-200kHz，錫滴的滴落速度通常≥30m/s，與脈沖激光的脈沖同步。錫滴輻射出的極紫外光由反射式聚焦鏡4聚焦到一個被稱為中間聚焦點(Intermediate Focus，IF)的地方，與之后的照明光路相連。

在圖1所示的結構中，錫滴發生器2的噴嘴的口徑只有20-30μm，錫滴的噴嘴容易被半凝固的殘留錫或者錫內的雜質累積堵塞，導致錫滴噴射角度發生偏移。因此在實際應用過程中需要定期對錫滴位置進行測量，偏移后需要對噴頭進行清潔。定期測量和清洗過程中會影響到主流極紫外光刻機的正常使用，且測量和清洗過程繁瑣。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術存在的上述缺陷，提供一種錫滴發生裝置。

為實現上述目的，本發明的技術方案如下：

一種錫滴發生裝置包括：

倒置的錫滴發生器本體；

在所述錫滴發生器本體的噴嘴上方設置有錫池，所述錫池與所述噴嘴聯通；

所述錫池上設置有加熱線圈，用于對錫池中的錫進行加熱，使其保持熔融態。

進一步地，在所述錫池外壁上還設置有第一電驅動裝置，用于激發所述錫池中熔融態的錫產生預設頻率的駐波振動。

進一步地，在所述第一電驅動裝置和所述錫池的側壁之間設置有絕熱層。

進一步地，所述錫池為圓形扁平狀，所述第一電驅動裝置至少為四個，對稱設置在所述錫池的周圍。

進一步地，所述預設頻率與所述錫滴發生器本體的噴射頻率相同，并且在所述噴嘴位置的液面處于波谷時，噴射所述錫滴。

進一步地，所述錫滴發生裝置還包括：

相位檢測裝置，用于檢測所述液面振動在所述噴嘴位置的相位信息；

噴射控制裝置，用于根據所述相位信息，控制所述錫滴噴射的相位，使得所述錫滴噴射時，所述噴嘴位置的液面處于波谷。

進一步地，所述倒置的錫滴發生器本體包括：

帶有壓力推送機構的盛放熔融態的錫的腔體；

設置在所述腔體上部并與所述腔體聯通的噴管，所述噴管的上部末端與所述噴嘴聯通；

在所述腔體的外壁和所述噴管的外壁上設置有加熱線圈。

進一步地，所述噴管的一部分外壁上設置有加熱線圈，所述噴管的另一部分外壁上設置有絕熱層。

進一步地，在所述絕熱層的外側設置有第二電驅動裝置，用于激發所述噴管中熔融態的錫產生駐波振動。