[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011386134.3 | 申請日： | 2020-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN112992852A | 公開（公告）日： | 2021-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 久保俊次;安藤公一;井尾英治;田島英幸;飯?zhí)镎芤?/a> | 申請（專利權(quán)）人： | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L27/06;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 李輝 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 | ||
本公開涉及一種半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括基座構(gòu)件、多層布線層和第一電阻元件。多層布線層被形成在基座構(gòu)件上。第一電阻元件被形成在多層布線層中。第一電阻元件包括第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分和第三導(dǎo)電部分。第二導(dǎo)電部分被形成在第一導(dǎo)電部分之上。第三導(dǎo)電部分將第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分彼此電連接。第三導(dǎo)電部分在沿基座構(gòu)件的表面的第一方向上的長度，大于第三導(dǎo)電部分在沿基座構(gòu)件的表面的第二方向上的長度，并且第二方向垂直于第一方向。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，例如包括形成在多層布線層中的電阻元件的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)
下面列出了一種公開的技術(shù)。
[專利文獻(xiàn)1]日本未審查專利申請公開No.2019-009345
已知包括電阻元件的半導(dǎo)體器件(例如，參見專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1中公開的半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底和形成在該半導(dǎo)體襯底上的布線層。電阻元件被形成在布線層上。電阻元件由第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分以及層間導(dǎo)電部分的重復(fù)圖案組成，該層間導(dǎo)電部分連接第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分。在沿半導(dǎo)體襯底的截面圖中，層間導(dǎo)電部分的截面形狀(下文中也被稱為“通孔”)為大致圓形。
在專利文獻(xiàn)1中描述的半導(dǎo)體器件的電阻元件中，如果流過電阻元件的電流量太大，則構(gòu)成通孔的金屬原子移動(dòng)，并且在該通孔中出現(xiàn)缺陷，即，在某些情況下所謂的電遷移發(fā)生。因此，電阻元件的特性劣化。如上所述，在常規(guī)的半導(dǎo)體器件中，從提高半導(dǎo)體器件的可靠性的角度出發(fā)，存在改進(jìn)的空間。
實(shí)施例的問題是提高半導(dǎo)體器件的可靠性。根據(jù)說明書和附圖的描述，其他問題和新穎特征將變得清楚。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括基座構(gòu)件、多層布線層和第一電阻元件。第一電阻元件被形成在多層布線層中。第一電阻元件包括第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分和第三導(dǎo)電部分。第二導(dǎo)電部分形成在第一導(dǎo)電部分之上。第三導(dǎo)電部分將第一導(dǎo)電部分和第二導(dǎo)電部分彼此電連接。第三導(dǎo)電部分在沿基座構(gòu)件的表面的第一方向上的長度，大于第三導(dǎo)電部分在沿基座構(gòu)件的表面的第二方向上的長度，并且第二方向垂直于第一方向。
根據(jù)實(shí)施例，可以改善半導(dǎo)體器件的特性。
附圖說明
圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例性電路配置的電路圖；
圖2是示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例性配置的平面圖；
圖3是示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的主要部分的示例性配置的透視圖；
圖4是示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的主要部分的示例性配置的截面圖；
圖5是示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法中包括的示例性步驟的截面圖；
圖6是示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法中包括的示例性步驟的截面圖；
圖7是示出根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法中包括的示例性步驟的截面圖；
圖8是示出根據(jù)實(shí)施例的第一修改的半導(dǎo)體器件的主要部分的示例性配置的透視圖；
圖9是示出根據(jù)實(shí)施例的第一修改的半導(dǎo)體器件的主要部分的示例性配置的截面圖；
圖10是示出根據(jù)實(shí)施例的第二修改的半導(dǎo)體器件的主要部分的示例性配置的透視圖；以及
圖11是示出根據(jù)實(shí)施例的第三修改的半導(dǎo)體器件的主要部分的示例性配置的透視圖。
具體實(shí)施方式
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