[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011386134.3
• 申請(qǐng)日: 2020-12-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112992852A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 久保俊次;安藤公一;井尾英治;田島英幸;飯?zhí)镎芤?/a>
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/522
• 分類號(hào): H01L23/522;H01L27/06;H01L23/367
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 李輝

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

基座構(gòu)件；

多層布線層，形成在所述基座構(gòu)件上；以及

第一電阻元件，形成在所述多層布線層中，

其中所述第一電阻元件包括：

第一導(dǎo)電部分；

第二導(dǎo)電部分，形成在所述第一導(dǎo)電部分之上；以及

第三導(dǎo)電部分，將所述第一導(dǎo)電部分和所述第二導(dǎo)電部分彼此電連接，并且

其中所述第三導(dǎo)電部分在沿所述基座構(gòu)件的表面的第一方向上的長(zhǎng)度大于所述第三導(dǎo)電部分在沿所述基座構(gòu)件的所述表面的第二方向上的長(zhǎng)度，并且所述第二方向垂直于所述第一方向。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，包括散熱部分；

其中所述散熱部分的一部分被形成在所述多層布線層中，并且

其中所述散熱部分的其余部分被形成在所述基座構(gòu)件中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述散熱部分包括：

第一絕緣膜，形成在凹陷部分的底表面和側(cè)表面上，所述凹陷部分形成在所述基座構(gòu)件的所述表面上；

第一熱傳導(dǎo)部分，形成在所述第一絕緣膜上，使得所述第一熱傳導(dǎo)部分掩埋所述凹陷部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述散熱部分包括第一耦合部分，所述第一耦合部分形成在所述多層布線層中，使得所述第一耦合部分將所述第一電阻元件和所述第一熱傳導(dǎo)部分彼此連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述散熱部分包括第二熱傳導(dǎo)部分，所述第二熱傳導(dǎo)部分形成在所述多層布線層中，使得所述第二熱傳導(dǎo)部分與所述第一電阻元件間隔開(kāi)、并且與所述第一熱傳導(dǎo)部分連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，

其中所述第二熱傳導(dǎo)部分在截面圖中沿所述第三導(dǎo)電部分延伸。

7.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體器件，

其中所述第二熱傳導(dǎo)部分的一個(gè)端部部分在沿所述基座構(gòu)件的所述表面的所述第二方向上，面對(duì)所述第一電阻元件的一部分，以及

其中所述第二熱傳導(dǎo)部分的所述一個(gè)端部部分在垂直于所述基座構(gòu)件的所述表面的方向上，面對(duì)所述第一電阻元件的另一部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述第二熱傳導(dǎo)部分的一個(gè)端部部分在沿所述基座構(gòu)件的所述表面的方向上，面對(duì)所述第一導(dǎo)電部分和所述第三導(dǎo)電部分，以及

其中所述第二熱傳導(dǎo)部分的所述一個(gè)端部部分在垂直于所述基座構(gòu)件的所述表面的方向上，面對(duì)所述第二導(dǎo)電部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，

其中所述基座構(gòu)件包括：

半導(dǎo)體襯底；以及

半導(dǎo)體層，形成在所述半導(dǎo)體襯底的表面上，并且

其中所述散熱部分穿透所述半導(dǎo)體層，使得所述散熱部分到達(dá)所述半導(dǎo)體襯底。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，

其中所述半導(dǎo)體層包括：

第一外延層，具有第一導(dǎo)電類型；

第一掩埋層，形成在所述第一外延層上并且具有第二導(dǎo)電類型，所述第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型相反；以及

第二外延層，形成在所述第一掩埋層上并且具有所述第一導(dǎo)電類型。

11.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，

其中所述多層布線層包括：

保護(hù)層，形成在所述多層布線層的最上層中；以及

熱應(yīng)力減輕部分，形成在所述電阻元件與所述保護(hù)層之間，并且

其中所述熱應(yīng)力減輕部分在平面圖中與所述第一電阻元件重疊。