[發明專利]發光裝置、光學裝置以及測量裝置

在審

• 申請號: 202011384517.7
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN113314947A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 井口大介;逆井一宏
• 申請（專利權）人: 富士膠片商業創新有限公司
• 主分類號: H01S5/026
• 分類號: H01S5/026;H01S5/042;H01S5/42;G01S7/48;G01S7/481;G01S7/484;G01S7/4911;G01S17/894
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

1.一種發光裝置，包括：

配線基板，具有第一配線層、及經由絕緣層而與所述第一配線層鄰接的第二配線層；

激光部，具有陰極電極及陽極電極，搭載于所述配線基板而受到低側驅動；以及

電容元件，搭載于所述配線基板，且對所述激光部供給驅動電流，其中，

與所述陰極電極連接的陰極配線、及與所述陽極電極連接的陽極配線被設在所述第一配線層，

連接于基準電位的基準電位配線被設在所述第二配線層，

所述第二配線層的所述基準電位配線被設在與所述陽極配線重合的區域，

所述陽極配線以包圍所述電容元件的方式而設。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其中

具有多個所述電容元件，

所述陽極配線以包圍多個所述電容元件的方式而設。

3.根據權利要求1或2所述的發光裝置，其中

所述陽極配線具有所述配線基板的面積的50％以上的面積。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的發光裝置，其中

所述陽極配線具有所述配線基板的面積的75％以上的面積。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的發光裝置，其中

所述絕緣層的厚度為100μm以下。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的發光裝置，其中

所述激光部是在共同的半導體基板上形成有多個面發光激光元件的面發光激光元件陣列。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的發光裝置，其

具有使從所述激光部出射的光的方向及擴展角中的至少一者發生變化的光學構件。

8.一種光學裝置，包括：

如權利要求1至7中任一項所述的發光裝置；以及

受光部，接收從所述發光裝置所包括的激光部出射并由被測量物予以反射的反射光，

所述受光部輸出一信號，所述信號相當于光從自所述激光部出射直至被所述受光部接收為止的時間。

9.一種測量裝置，包括：

如權利要求8所述的光學裝置；以及

三維形狀確定部，基于從所述光學裝置所包括的激光部出射并由所述光學裝置所包括的受光部所接收的、來自被測量物的反射光，來確定所述被測量物的三維形狀，

所述測量裝置對所述被測量物的三維形狀進行測量。