[發(fā)明專利]PCB的無炭黑式激光銑邊工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011383914.2 | 申請日： | 2020-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN112570385A | 公開（公告）日： | 2021-03-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 荀宗獻(xiàn);房鵬博;黃德業(yè) | 申請（專利權(quán)）人： | 珠海杰賽科技有限公司;廣州杰賽科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B08B7/00 | 分類號： | B08B7/00;B08B13/00;B23K26/70;B23K26/38;B29C63/02;B29L31/34 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 盧澤明 |
| 地址： | 519170 廣東省珠海*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | pcb 炭黑 激光 工藝 | ||
本發(fā)明涉及PCB加工技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種PCB的無炭黑式激光銑邊工藝，包括如下步驟：S1、在PCB的上表面和下表面貼上保護(hù)膜；S2、對PCB進(jìn)行激光銑邊；S3、采用物理除膠的方式去除截面上殘留的炭黑；S4、去除PCB上表面和下表面的保護(hù)膜。本工藝在激光銑邊的過程中，可以避免PCB的上表面和下表面產(chǎn)生炭黑，激光銑邊結(jié)束后，采用物理除膠的方法及時(shí)將截面上殘留的炭黑去除，去除炭黑的過程中可以避免PCB的上表面和下表面受到影響，去除截面的炭黑之后，再去除PCB上表面和下表面的保護(hù)膜，從而可以加工得到整體均無炭黑的PCB，避免影響PCB的整體性能，并使得PCB的整體外觀較為整潔美觀。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及PCB加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種PCB的無炭黑式激光銑邊工藝。
背景技術(shù)
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品的組裝密度、產(chǎn)品性能以及多功能化受到越來越高的要求，因此對PCB的性能要求也越來越高，在加工PCB時(shí)，需要對PCB進(jìn)行激光銑邊處理。激光銑邊的原理是在瞬間高溫的熱作用下，材料被熔化或焦化，從而實(shí)現(xiàn)PCB外形加工。但是在瞬間高溫的熱作用下，PCB激光銑邊產(chǎn)生的截面以及PCB靠近激光銑邊截面的上表面和下表面都會產(chǎn)生炭黑，在激光銑邊的過程中，這些炭黑會沉積在PCB的激光銑邊的截面以及PCB的上表面和下表面，容易使得PCB的耐電壓性能降低，影響PCB的性能，PCB的外表也不美觀，若是采用傳統(tǒng)的方法去除PCB的上表面、下表面以及截面上的炭黑，由于PCB的上表面和下表面沉積的炭黑較多，去除較為復(fù)雜困難，還容易破壞PCB的上表面和下表面的結(jié)構(gòu)。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種PCB的無炭黑式激光銑邊工藝，對PCB進(jìn)行激光銑邊處理時(shí)，能避免PCB的上表面和下表面產(chǎn)生炭黑，并能去除激光銑邊的截面殘留的炭黑。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種PCB的無炭黑式激光銑邊工藝，包括如下步驟：
S1、在PCB的上表面和下表面貼上保護(hù)膜，并使保護(hù)膜無間隙地貼合于PCB的上表面和下表面；
S2、對PCB進(jìn)行激光銑邊，激光銑邊后的PCB產(chǎn)生截面；
S3、采用物理除膠的方式去除截面上殘留的炭黑；
S4、去除PCB上表面和下表面的保護(hù)膜。
上述的PCB的無炭黑式激光銑邊工藝，步驟S3具體包括如下步驟：
S31、提供具有反應(yīng)腔的等離子清洗機(jī)，并將PCB放入反應(yīng)腔內(nèi)；
S32、在反應(yīng)腔內(nèi)充入O2和N2，排盡反應(yīng)腔內(nèi)的空氣，并將反應(yīng)腔內(nèi)的溫度加熱至70℃，將電極功率調(diào)節(jié)至3500～4500W；
S33、在反應(yīng)腔內(nèi)充入CF4，將反應(yīng)腔內(nèi)的溫度加熱至70～130℃，并將電極功率調(diào)節(jié)至3500～4500W；
S34、在反應(yīng)腔內(nèi)充入O2，排盡步驟S33中反應(yīng)腔內(nèi)的氣體，并將反應(yīng)腔內(nèi)的溫度加熱至70～130℃，將電極功率調(diào)節(jié)至2500～3500W；
S35、關(guān)閉等離子清洗機(jī)的電源，等待反應(yīng)腔冷卻后，取出PCB。
上述的PCB的無炭黑式激光銑邊工藝，在步驟S32中，O2的體積分?jǐn)?shù)為80％，N2的體積分?jǐn)?shù)為20％。
上述的PCB的無炭黑式激光銑邊工藝，在步驟S32中，反應(yīng)時(shí)間為3～10min。
上述的PCB的無炭黑式激光銑邊工藝，在步驟S33中，O2的體積分?jǐn)?shù)為80％，N2的體積分?jǐn)?shù)為10％，CF4的體積分?jǐn)?shù)為10％。
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