[發(fā)明專利]用于與數(shù)據(jù)線設(shè)置操作同時進行的接種操作的設(shè)備和方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011383593.6
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112908393A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐峻;Y·董
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/24
• 分類號: G11C16/24;G11C16/04
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及用于與數(shù)據(jù)線設(shè)置操作同時進行的接種操作的設(shè)備和方法。操作存儲器的方法以及被配置成執(zhí)行類似方法的存儲器可包含對選擇性地連接到第一數(shù)據(jù)線的第一經(jīng)串聯(lián)連接存儲器單元串中的特定存儲器單元執(zhí)行感測操作；將第一電壓電平施加到所述第一串中的第二存儲器單元的所述存取線；將高于所述第一電壓電平的第二電壓電平施加到所述特定存儲器單元的所述存取線；與施加所述第一電壓電平同時地并且與施加所述第二電壓電平同時地，將第三電壓電平施加到所述第一數(shù)據(jù)線；和與將所述第三電壓電平施加到所述第一數(shù)據(jù)線同時地，將高于所述第三電壓電平的第四電壓電平施加到選擇性地連接到第二經(jīng)串聯(lián)連接存儲器單元串的第二數(shù)據(jù)線。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開大體上涉及存儲器，且特定來說，在一或多個實施例中，本公開涉及用于與數(shù)據(jù)線設(shè)置操作同時進行的源極側(cè)接種操作的設(shè)備和方法。

背景技術(shù)

存儲器(例如，存儲器裝置)通常在計算機或其它電子裝置中提供為內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路裝置。存在許多不同類型的存儲器，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)和快閃存儲器。

快閃存儲器已發(fā)展成用于各種電子應(yīng)用的廣受歡迎的非易失性存儲器源。快閃存儲器通常使用允許高存儲器密度、高可靠性和低功耗的單晶體管存儲器單元。通過對電荷存儲結(jié)構(gòu)(例如，浮動?xùn)艠O或電荷阱)或其它物理現(xiàn)象(例如，相變或極化)進行編程(通常是指寫入)，改變存儲器單元的閾值電壓(Vt)，所述改變確定每一存儲器單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，數(shù)據(jù)值)。快閃存儲器和其它非易失性存儲器的常見用途包含個人計算機、個人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)碼相機、數(shù)字媒體播放器、數(shù)字記錄器、游戲、電氣設(shè)備、車輛、無線裝置、移動電話和可拆卸式存儲器模塊，且非易失性存儲器的用途在持續(xù)擴大。

NAND快閃存儲器是常用類型的快閃存儲器裝置，如此稱謂的原因在于布置基本存儲器單元配置的邏輯形式。通常，用于NAND快閃存儲器的存儲器單元陣列布置成使得陣列中的一行中的每個存儲器單元的控制柵極連接在一起以形成存取線，如字線。陣列中的列包含在一對選擇柵極之間，例如在源極選擇晶體管與漏極選擇晶體管之間，串聯(lián)連接在一起的存儲器單元串(常常被稱為NAND串)。每個源極選擇晶體管可連接到源極，而每個漏極選擇晶體管可連接到數(shù)據(jù)線，例如列位線。使用存儲器單元串與源極之間和/或存儲器單元串與數(shù)據(jù)線之間的多于一個選擇柵極的變型是已知的。

存儲器中的編程通常是通過施加由編程驗證脈沖分隔開的多個編程脈沖，以將所選存儲器單元群組中的每一存儲器單元編程到相應(yīng)預(yù)期數(shù)據(jù)狀態(tài)(其可為中間或最終數(shù)據(jù)狀態(tài))來實現(xiàn)。通過這類方案，編程脈沖施加到所選擇的存儲器單元的存取線，例如通常被稱為字線的那些存取線。在每一編程脈沖之后，一或多個編程驗證脈沖用以驗證所選擇存儲器單元的編程。當(dāng)前編程通常在遞增步長編程方案中使用多個編程脈沖，其中每一編程脈沖是將存儲器單元閾值電壓移動某一量的單一脈沖。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開的一實施例,提供一種存儲器，其包括：共同源極；第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；存儲器單元陣列，其包括選擇性地連接于所述第一數(shù)據(jù)線與所述共同源極之間的第一存儲器單元串和選擇性地連接于所述第二數(shù)據(jù)線與所述共同源極之間的第二存儲器單元串；多個存取線，所述多個存取線中的每一存取線連接到所述第一存儲器單元串中的相應(yīng)存儲器單元的控制柵極和所述第二存儲器單元串中的相應(yīng)存儲器單元的控制柵極；和控制器，其存取所述存儲器單元陣列，所述控制器被配置成實施與數(shù)據(jù)線設(shè)置操作同時進行的源極側(cè)接種操作。