[發明專利]用于與數據線設置操作同時進行的接種操作的設備和方法

在審

• 申請號: 202011383593.6
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112908393A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 徐峻;Y·董
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C16/24
• 分類號: G11C16/24;G11C16/04
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種存儲器，其包括：

共同源極；

第一數據線和第二數據線；

存儲器單元陣列，其包括選擇性地連接于所述第一數據線與所述共同源極之間的第一存儲器單元串和選擇性地連接于所述第二數據線與所述共同源極之間的第二存儲器單元串；

多個存取線，所述多個存取線中的每一存取線連接到所述第一存儲器單元串中的相應存儲器單元的控制柵極和所述第二存儲器單元串中的相應存儲器單元的控制柵極；和

控制器，其存取所述存儲器單元陣列，所述控制器被配置成實施與數據線設置操作同時進行的源極側接種操作。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其中所述源極側接種操作包括源極側柵致漏極泄漏GIDL接種操作。

3.根據權利要求1所述的存儲器，其中所述控制器被配置成以反向頁順序實施編程操作。

4.根據權利要求3所述的存儲器，其中以所述反向頁順序，所述第一存儲器單元串的處于所述第一存儲器單元串中的特定存儲器單元與所述第一數據線之間的存儲器單元處于經編程狀態，且所述第一存儲器單元串的處于所述特定存儲器單元和所述共同源極之間的存儲器單元處于經擦除狀態。

5.根據權利要求1所述的存儲器，其中所述控制器被配置成在所述第一存儲器單元串中的特定存儲器單元的感測操作之后，實施與所述數據線設置操作同時進行的所述源極側接種操作。

6.根據權利要求1所述的存儲器，其中所述控制器被配置成在所述第一存儲器單元串中的特定存儲器單元的后續編程操作之前，實施與所述數據線設置操作同時進行的所述源極側接種操作。

7.根據權利要求6所述的存儲器，其中為實施所述源極側接種操作，所述控制器被配置成：

將第一電壓電平施加到所述第一存儲器單元串中的第二存儲器單元的所述多個存取線中的所述相應存取線；和

將高于所述第一電壓電平的第二電壓電平施加到所述特定存儲器單元的所述多個存取線中的所述相應存取線。

8.根據權利要求6所述的存儲器，其中所述編程操作包括單遍次編程操作。

9.根據權利要求6所述的存儲器，其中所述編程操作包括多遍次編程操作。

10.根據權利要求1所述的存儲器，其中所述第一存儲器單元串經由第一漏極選擇晶體管選擇性地連接到所述第一數據線并且經由第一源極選擇晶體管選擇性地連接到所述共同源極，且所述第二存儲器單元串經由第二漏極選擇晶體管選擇性地連接到所述第二數據線并且經由第二源極選擇晶體管選擇性地連接到所述共同源極。

11.根據權利要求10所述的存儲器，其中為實施所述源極側接種操作，所述控制器被配置成：

關斷所述第一漏極選擇晶體管和所述第二漏極選擇晶體管；

接通所述第一源極選擇晶體管和所述第二源極選擇晶體管；和

將供電電壓施加到所述共同源極。

12.根據權利要求10所述的存儲器，其中為實施所述數據線設置操作，所述控制器被配置成：

關斷所述第一漏極選擇晶體管和所述第二漏極選擇晶體管；

將數據線啟用電壓電平施加到所述第一數據線以使得所述第一存儲器單元串中的特定存儲器單元能夠被編程；和

將數據線禁止電壓電平施加到所述第二數據線以禁止編程所述第二存儲器單元串中的存儲器單元。

13.根據權利要求1所述的存儲器，其中所述第一存儲器單元串包括第一經串聯連接存儲器單元串且所述第二存儲器單元串包括第二經串聯連接存儲器單元串。