[發(fā)明專利]光學(xué)裝置的扇出晶圓級封裝和相關(guān)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011381895.X | 申請日: | 2020-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN112909035A | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林育圣;野間崇 | 申請(專利權(quán))人: | 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 陳華成 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 裝置 扇出晶圓級 封裝 相關(guān) 方法 | ||
本公開涉及光學(xué)裝置的扇出晶圓級封裝和相關(guān)方法。半導(dǎo)體封裝的具體實(shí)施可包括:襯底,該襯底具有第一側(cè)和第二側(cè)。該封裝可包括半導(dǎo)體封裝和控制器裝置,該半導(dǎo)體封裝和該控制器裝置通過膠帶或粘合劑耦合到該襯底的該第一側(cè)。模制化合物可包封該半導(dǎo)體器件和該控制器裝置。該封裝還可包括再分布層,該再分布層電耦合該半導(dǎo)體器件和該控制器裝置。互連結(jié)構(gòu)可與該再分布層耦合。該封裝可包括阻焊層,該阻焊層耦合在該互連結(jié)構(gòu)周圍并且耦合在該模制化合物、該半導(dǎo)體器件、該控制器裝置和該銅再分布層之上。
技術(shù)領(lǐng)域
此文獻(xiàn)的各方面總體涉及半導(dǎo)體封裝,諸如光學(xué)裝置的晶圓級封裝。更具體的具體實(shí)施涉及相機(jī)裝置的扇出晶圓級封裝。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體封裝用于使半導(dǎo)體管芯能夠與母板和其他電連接耦合。半導(dǎo)體封裝還用于保護(hù)半導(dǎo)體管芯免于污染和在操作期間的環(huán)境影響。
發(fā)明內(nèi)容
半導(dǎo)體封裝的具體實(shí)施可包括:襯底,該襯底具有第一側(cè)和第二側(cè)。該封裝可包括半導(dǎo)體器件和控制器裝置,該半導(dǎo)體器件和該控制器裝置通過膠帶或粘合劑耦合到該襯底的該第一側(cè)。模制化合物可包封該半導(dǎo)體器件和該控制器裝置。該封裝還可包括再分布層,該再分布層電耦合該半導(dǎo)體器件和該控制器裝置。互連結(jié)構(gòu)可與該再分布層耦合。該封裝可包括阻焊層,該阻焊層耦合在該互連結(jié)構(gòu)周圍并且耦合在該模制化合物、該半導(dǎo)體器件、該控制器裝置和該銅再分布層之上。
半導(dǎo)體封裝的具體實(shí)施可包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)、全部或任一項(xiàng):
該襯底可包括光學(xué)透射材料。
該半導(dǎo)體封裝還可包括第二銅再分布層和第三銅再分布層。
該再分布層可以是銅。
該半導(dǎo)體器件可以是包括微透鏡或?yàn)V色器的圖像傳感器。
該半導(dǎo)體封裝還可包括該襯底的第一側(cè)上的膠帶或樹脂涂層。
該半導(dǎo)體封裝還可包括在該互連結(jié)構(gòu)周圍的鎳金(NiAu)鍍層。
半導(dǎo)體封裝的具體實(shí)施可包括:半導(dǎo)體器件,該半導(dǎo)體器件包括第一側(cè)和第二側(cè);和控制器裝置,該控制器裝置包括第一側(cè)和第二側(cè)。該控制器裝置和該半導(dǎo)體器件可在同一平面中。該封裝還可包括包封該半導(dǎo)體器件和該控制器裝置的模制化合物。再分布層可通過該半導(dǎo)體器件和該控制器裝置中的每一者的第二側(cè)上的兩個或更多個小柱電耦合該半導(dǎo)體器件和該控制器裝置。該封裝還可包括耦合到該再分布層的互連結(jié)構(gòu)。該封裝還可包括該半導(dǎo)體器件和該控制器裝置中的每一者的第二側(cè)之上的阻焊層。
半導(dǎo)體封裝的具體實(shí)施可包括以下各項(xiàng)中的一項(xiàng)、全部或任一項(xiàng):
該封裝還可包括襯底,該襯底耦合到該半導(dǎo)體器件和該控制器裝置中的每一者的第一側(cè)。
該襯底可包括光學(xué)透射材料。
該封裝還可包括第二銅再分布層和第三銅再分布層。
該再分布層可以是銅。
該半導(dǎo)體器件可包括包含微透鏡或?yàn)V色器的圖像傳感器。
該封裝還可包括該襯底的第一側(cè)上的膠帶或樹脂涂層。
該封裝還可包括在該互連結(jié)構(gòu)周圍的鎳金(NiAu)鍍層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司,未經(jīng)半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011381895.X/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:馬達(dá)控制裝置
- 下一篇:用于車輛的開放式車頂構(gòu)造
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





