[發明專利]光學裝置的扇出晶圓級封裝和相關方法

在審

• 申請號: 202011381895.X
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112909035A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 林育圣;野間崇
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 陳華成

1.一種半導體封裝，所述半導體封裝包括：

襯底，所述襯底包括第一側和第二側；

半導體器件和控制器裝置，所述半導體器件和所述控制器裝置布置在同一平面中，其中所述半導體器件和所述控制器裝置通過膠帶或粘合劑中的一者耦合到所述襯底的所述第一側；

模制化合物，所述模制化合物包封所述半導體器件和所述控制器裝置；

再分布層，所述再分布層電耦合所述半導體器件和所述控制器裝置；

互連結構，所述互連結構與所述再分布層耦合；和

阻焊層，所述阻焊層耦合在所述互連結構周圍并且耦合在所述模制化合物、所述半導體器件、所述控制器裝置和所述銅再分布層之上。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述襯底包括光學透射材料。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，所述半導體封裝還包括第二再分布層和第三再分布層。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝，所述半導體封裝還包括所述襯底的第一側上的膠帶或樹脂涂層中的一者。

5.一種半導體封裝，所述半導體封裝包括：

半導體器件，所述半導體器件包括第一側和第二側；

控制器裝置，所述控制器裝置包括第一側和第二側；和

模制化合物，所述模制化合物包封所述半導體器件和所述控制器裝置；

再分布層，所述再分布層通過所述半導體器件和所述控制器裝置中的每一者的第二側上的兩個或更多個小柱電耦合所述半導體器件和所述控制器裝置；

互連件，所述互連件耦合到所述再分布層；和

阻焊層，所述阻焊層處于所述半導體器件和所述控制器裝置中的每一者的所述第二側之上；

其中所述控制器裝置和所述半導體器件在同一平面中。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝，所述半導體封裝還包括襯底，所述襯底耦合到所述半導體器件和所述控制器裝置中的每一者的所述第一側。

7.根據權利要求5所述的半導體封裝，所述半導體封裝還包括第二銅再分布層和第三銅再分布層。

8.根據權利要求6所述的半導體封裝，所述半導體封裝還包括所述襯底的第一側上的膠帶或樹脂涂層中的一者。

9.一種形成半導體封裝的方法，所述方法包括：

提供襯底，所述襯底包括第一側和第二側；

將半導體器件的第一側耦合到所述襯底的第二側；

將控制器裝置的第一側耦合到所述襯底的鄰近于所述半導體器件的第二側；

在所述襯底的所述第二側上形成包圍所述半導體器件和所述控制器裝置的模制化合物；

穿過所述半導體器件和所述控制器裝置中的每一者的第二側上的硅層蝕刻兩個或更多個通孔；

在所述半導體器件和所述控制器裝置中的每一者中的所述硅層中形成兩個或更多個小柱；

在所述半導體器件和所述控制器裝置中的每一者上的所述兩個或更多個小柱中的一者之間鍍敷再分布層；

將互連結構耦合到所述再分布層；

在所述半導體器件、所述控制器裝置和所述再分布層中的每一者的所述第二側之上形成絕緣層；以及

將所述襯底切塊以形成多個半導體封裝，每個半導體封裝包括半導體器件和控制器裝置。

10.根據權利要求9所述的方法，所述方法還包括從所述多個半導體封裝中的每一者的第一側移除所述襯底。