[發(fā)明專利]承載盤及控溫裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011381391.8
• 申請(qǐng)日: 2020-12-01
• 公開（公告）號(hào): CN112530846A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧瀟瀟;黃敏濤;宋新豐;楊帥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/673
• 分類號(hào): H01L21/673;H01L21/677;H01L21/67
• 代理公司: 北京國昊天誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

本發(fā)明公開一種承載盤及控溫裝置，所述承載盤的中心位置設(shè)有安裝孔，所述承載盤包括用于與所述半導(dǎo)體設(shè)備中反應(yīng)腔接觸密封的密封面，所述承載盤中還設(shè)置有環(huán)繞所述安裝孔設(shè)置的氣道，所述承載盤背離所述密封面的一面設(shè)有進(jìn)氣口和出氣口，所述進(jìn)氣口和所述出氣口均與所述氣道連通，根據(jù)預(yù)設(shè)條件，預(yù)設(shè)溫度的控溫氣體可自所述進(jìn)氣口被送入所述氣道內(nèi)，且自所述出氣口被排出。上述承載盤可以適應(yīng)于晶圓的加工工藝，防止承載盤及安裝于承載盤上的部件等被腐蝕，污染晶圓，保證工藝的正常進(jìn)行。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種承載盤及控溫裝置。

背景技術(shù)

在晶圓的加工過程中，通常需要將承載有晶圓的承載盤自室溫環(huán)境下移動(dòng)至反應(yīng)腔口進(jìn)行熱處理。在工藝開始之前，為了排空反應(yīng)腔內(nèi)雜質(zhì)氣體，通常會(huì)向反應(yīng)腔內(nèi)通入少量水蒸氣和氯化氫氣體。在晶圓進(jìn)行熱處理工藝的前期階段，由于承載盤的溫度較低，而反應(yīng)腔的溫度通常較高，一般在幾百甚至上千攝氏度，從而造成水蒸氣在接觸到承載盤時(shí)發(fā)生凝結(jié)，同時(shí)，氯化氫氣體會(huì)溶于水中，形成鹽酸，而承載盤的材質(zhì)通常為不銹鋼，從而造成承載盤會(huì)被腐蝕，且生成氯化鐵等雜質(zhì)，污染晶圓，且縮短承載盤的使用壽命。而在晶圓進(jìn)行熱處理工藝的后期階段，受反應(yīng)腔內(nèi)熱量的影響，承載盤的溫度會(huì)逐漸升高，從而容易造成安裝在承載盤上的部件損壞，污染晶圓，影響工藝的正常進(jìn)行。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明公開一種承載盤及控溫裝置，以適應(yīng)于晶圓的加工工藝，防止承載盤及安裝于承載盤上的部件等被腐蝕，污染晶圓，保證工藝的正常進(jìn)行。

為了解決上述問題，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例公開一種承載盤，用于半導(dǎo)體設(shè)備，所述承載盤的中心位置設(shè)有安裝孔，所述承載盤包括用于與所述半導(dǎo)體設(shè)備中反應(yīng)腔接觸密封的密封面，所述承載盤中還設(shè)置有環(huán)繞所述安裝孔設(shè)置的氣道，所述承載盤背離所述密封面的一面設(shè)有進(jìn)氣口和出氣口，所述進(jìn)氣口和所述出氣口均與所述氣道連通，根據(jù)預(yù)設(shè)條件，預(yù)設(shè)溫度的控溫氣體可自所述進(jìn)氣口被送入所述氣道內(nèi)，且自所述出氣口被排出。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例公開一種控溫裝置，其包括第一進(jìn)氣管路、第二進(jìn)氣管路、出氣管路和上述承載盤，所述第一進(jìn)氣管路和所述第二進(jìn)氣管路均與氣源連接，且所述第一進(jìn)氣管路和所述第二進(jìn)氣管路均與所述進(jìn)氣口連通，所述出氣管路與所述出氣口連通，所述第一進(jìn)氣管路設(shè)有加熱件。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案能夠達(dá)到以下有益效果：

本申請(qǐng)實(shí)施例公開一種承載盤，其設(shè)有氣道，氣道連通進(jìn)氣口和出氣口，根據(jù)預(yù)設(shè)條件，預(yù)設(shè)溫度的控溫氣體能夠自進(jìn)氣口被送入至氣道內(nèi)，且自出氣口被排出。在晶圓的工藝前期階段，由于承載盤的溫度相對(duì)較低，通過自進(jìn)氣口持續(xù)向氣道內(nèi)通入溫度較高的控溫氣體，溫度較高的控溫氣體在氣道內(nèi)流動(dòng)的過程中會(huì)將自身的熱量釋放至氣道的內(nèi)壁上，從而傳遞至整個(gè)承載盤，使承載盤的溫度升高，防止因承載盤的溫度較低，造成反應(yīng)腔內(nèi)的水蒸氣在承載盤的表面凝結(jié)，進(jìn)而防止氯化氫氣體溶于承載盤表面的液態(tài)水中，保證承載盤不會(huì)被腐蝕，提升承載盤的使用壽命，且保證晶圓能夠正常進(jìn)行工藝過程。在晶圓的工藝后期階段，由于承載盤的溫度升高，通過向進(jìn)氣口持續(xù)通入常溫甚至低溫的控溫氣體，使得控溫氣體能夠自氣道的內(nèi)壁吸收承載盤的熱量，進(jìn)而使承載盤的溫度下降，防止安裝在承載盤上的部件因長期處于高溫環(huán)境下而損壞，進(jìn)而防止晶圓被污染，保證晶圓的工藝過程正常進(jìn)行。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例公開的承載盤的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例公開的承載盤的剖面示意圖；

圖3為圖2中部分結(jié)構(gòu)的放大圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例公開的承載盤中氣道的分布示意圖；