[發明專利]承載盤及控溫裝置在審
| 申請號: | 202011381391.8 | 申請日: | 2020-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN112530846A | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發明(設計)人: | 盧瀟瀟;黃敏濤;宋新豐;楊帥 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 承載 裝置 | ||
1.一種承載盤,用于半導體設備,其特征在于,所述承載盤的中心位置設有安裝孔(110),所述承載盤包括用于與所述半導體設備中反應腔接觸密封的密封面,所述承載盤中還設置有環繞所述安裝孔(110)設置的氣道(150),所述承載盤背離所述密封面的一面設有進氣口(171)和出氣口(172),所述進氣口(171)和所述出氣口(172)均與所述氣道(150)連通,根據預設條件,預設溫度的控溫氣體可自所述進氣口(171)被送入所述氣道(150)內,且自所述出氣口(172)被排出。
2.根據權利要求1所述的承載盤,其特征在于,所述承載盤的密封面上設置有密封槽(130),所述密封槽(130)環繞設置于所述安裝孔(110)的外周,所述密封槽(130)內可用于安裝密封圈,至少部分所述氣道(150)與所述密封槽(130)對應。
3.根據權利要求2所述的承載盤,其特征在于,所述氣道(150)的數量為多個,多個所述氣道(150)中包括第一氣道和第二氣道,所述第一氣道與所述密封槽(130)對應,所述第二氣道設置于所述安裝孔(110)與所述密封槽(130)之間。
4.根據權利要求3所述的承載盤,其特征在于,所述承載盤包括盤本體(100)和多個封裝件(200),所述盤本體(100)背離所述密封面的表面設有兩個沉槽,任一所述沉槽均包括兩個相互間隔的槽壁(160),任一所述沉槽均蓋設有所述封裝件(200),所述封裝件(200)與各所述槽壁(160)密封連接,形成所述第一氣道和所述第二氣道。
5.根據權利要求3所述的承載盤,其特征在于,所述安裝孔(110)和所述第一氣道之間,以及所述第一氣道和所述第二氣道之間均設有溫度檢測部(330)。
6.根據權利要求1所述的承載盤,其特征在于,所述氣道(150)為螺旋結構。
7.根據權利要求1所述的承載盤,其特征在于,所述氣道(150)包括多個環形段(151)和多個連接段(153),多個所述環形段(151)均環繞所述安裝孔(110)設置,且多個所述環形段(151)沿所述承載盤的徑向間隔分布,任意相鄰的兩個所述環形段(151)均通過所述連接段(153)連接,所述進氣口(171)和所述出氣口(172)中,一者與位于最內側的所述環形段(151)連通,另一者與位于最外側的所述環形段(151)連通。
8.根據權利要求7所述的承載盤,其特征在于,所述連接段(153)的延伸方向平行于所述承載盤的徑向。
9.一種控溫裝置,其特征在于,包括第一進氣管路、第二進氣管路、出氣管路和權利要求1-8任意一項所述的承載盤,所述第一進氣管路和所述第二進氣管路均與氣源連接,且所述第一進氣管路和所述第二進氣管路均與所述進氣口(171)連通,所述出氣管路與所述出氣口(172)連通,所述第一進氣管路設有加熱件。
10.根據權利要求9所述的控溫裝置,其特征在于,所述氣道(150)的數量為多個,多個所述氣道(150)中包括第一氣道和第二氣道,第一進氣管路包括主管路、第一支路和第二支路,所述第一支路與所述第一氣道連通,所述第二支路與所述第二氣道連通,所述第一支路和所述第二支路均與所述主管路連通,所述第一支路和所述第二支路上均設有所述加熱件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





