[發明專利]一種電子器件及其制作方法、電子設備

在審

• 申請號: 202011376950.6
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN114582974A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 余林蔚;張廷;劉宗光;王軍轉;劉俊彥;陳英杰;劉至哲;吳欣凱;劉云飛
• 申請（專利權）人: 榮耀終端有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 賈瑩

本申請實施例提供一種電子器件及其制作方法、電子設備，涉及半導體技術領域。用于在平面內生長納米線。該電子器件可以包括襯底以及至少一條納米線。其中，襯底上具有至少一條溝槽。納米線嵌入溝槽內。該溝槽具有至少一個槽壁，一條納米線沿溝槽的一個槽壁延伸，且與溝槽的槽底相接觸。溝槽的槽壁具有導向作用，使得納米線可以沿槽壁的延伸方向，在溝槽的槽底所在的平面內生長，有利于電子器件的大規模制作。上述溝槽的槽底所在的平面可以與電路板用于承載電子器件的表面平行。因此當納米線在溝槽的槽底所在的平面內生長時，有利于電子器件在電路板上的大規模集成。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種電子器件及其制作方法、電子設備。

背景技術

隨著大規模集成電路技術的高速發展，單個芯片上集成的晶體管數量急劇增加，晶體管的特征尺寸不斷減小。然而，當傳統的平面式金屬氧化物半導體(metal-oxide-semiconductor，MOS)晶體管的尺寸縮小到納米尺度之后，MOS晶體管對溝道電流的控制能力變弱，造成嚴重的漏電流。目前，納米線場效應晶體管，因其具有更小的尺寸、更好的柵控特性以及較小的亞閾值擺幅，能夠在提高芯片集成度的同時，提高晶體管的性能。然而，采用目前的納米線生長工藝制作的納米線非平面內生長，導致降低芯片大規模的可實現性。

發明內容

本申請提供一種電子器件及其制作方法、電子設備，用于在平面內生長納米線。

為達到上述目的，本申請采用如下技術方案：

本申請實施例的一方面，提供一種電子器件。該電子器件可以包括襯底以及至少一條納米線。其中，襯底上具有至少一條溝槽。納米線嵌入溝槽內。一條納米線沿溝槽的一個槽壁延伸，且與溝槽的槽底相接觸。這樣一來，溝槽的槽壁具有導向作用，使得納米線可以沿槽壁的延伸方向，在溝槽的槽底所在的平面內生長，有利于電子器件的大規模制作。此外，上述溝槽的槽底所在的平面可以與電路板用于承載電子器件的表面平行。因此當納米線在溝槽的槽底所在的平面內生長時，有利于電子器件在電路板上的大規模集成。

需要說明的是，設置于襯底上的溝槽，其本身并非是獨立于襯底而存在的結構或者膜層，而是在襯底的特定層中存在的不定數量的結構特征。溝槽由槽底和槽壁構成，其中槽底和槽壁的組分構成和位置取決于溝槽在產品中的具體位置，例如，取決于溝槽沿垂直于襯底的方向，在襯底的膜層和結構間所貫穿的部分膜層或結構的組分和位置。

可選的，納米線的材料為半導體材料，該納米線的拉曼半峰寬為，與納米線的物質組分相同的單晶材料的拉曼半峰寬的1～2倍。納米線的峰位位于，與納米線的物質組分相同的單晶材料的峰位之差的范圍為0cm^-1～2cm^-1。這樣一來，該納米線具有較高的結晶性。該納米線的拉曼半峰寬可以與上述單晶材料的拉曼半峰寬接近，因此該納米線具有較高的結晶性。

可選的，當納米線為硅納米線時，納米線的拉曼半峰寬為4.5±0.5cm^-1，納米線的峰位為520.7±1cm^-1。其中，單晶硅的拉曼半峰寬為3.6cm^-1，單晶硅的峰位為520.1cm^-1。因此，本申請實施例提供的硅納米線的拉曼半峰寬可以與單晶硅的拉曼半峰寬接近。

可選的，每個溝槽內嵌入有兩條納米線。同一溝槽內的兩條納米線，分別沿溝槽相對的兩個槽壁延伸。溝槽的每個槽壁都可以對生長的納米線進行導向。

可選的，襯底包括層疊設置的襯底本體和第一介質層，溝槽設置于第一介質層上，且溝槽的槽底為該第一介質層。納米線在靠近襯底本體的一側與第一介質層相接觸。第一介質層能夠對激光產生的熱量進行熱緩沖，避免上述熱量直接傳遞至襯底本體，而使得襯底本體在高熱量作用下被燒灼。