[發明專利]一種電子器件及其制作方法、電子設備

在審

• 申請號: 202011376950.6
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN114582974A
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 余林蔚;張廷;劉宗光;王軍轉;劉俊彥;陳英杰;劉至哲;吳欣凱;劉云飛
• 申請（專利權）人: 榮耀終端有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 賈瑩

1.一種電子器件，其特征在于，包括：

襯底；所述襯底上具有至少一條溝槽；

至少一條納米線；所述納米線嵌入所述溝槽內；所述溝槽具有至少一個槽壁，一條所述納米線沿所述溝槽的一個所述槽壁延伸，且與所述溝槽的槽底相接觸。

2.根據權利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述納米線的材料為半導體材料，

所述納米線的拉曼半峰寬為，與所述納米線的物質組分相同的單晶材料的拉曼半峰寬的1～2倍；

所述納米線的峰位位于，與所述納米線的物質組分相同的單晶材料的峰位之差的范圍為0cm^-1～2cm^-1。

3.根據權利要求2所述的電子器件，其特征在于，所述納米線的拉曼半峰寬為4.5±0.5cm^-1，所述納米線的峰位為520.7±1cm^-1。

4.根據權利要求1-3任一項所述的電子器件，其特征在于，

每個所述溝槽內嵌入有兩條所述納米線；同一所述溝槽內的兩條所述納米線，分別沿所述溝槽相對的兩個槽壁延伸。

5.根據權利要求1-4任一項所述電子器件，其特征在于，

所述襯底包括層疊設置的襯底本體和第一介質層，所述溝槽設置于所述第一介質層上，且所述溝槽的槽底為所述第一介質層；所述納米線在靠近所述襯底本體的一側與所述第一介質層相接觸。

6.根據權利要求5所述的電子器件，其特征在于，

所述襯底本體靠近所述第一介質層的材料包括：聚酰亞胺或聚二甲基硅氧烷中的至少一種；

所述第一介質層包括氮化硅層、氧化硅層、氮氧化硅層、氧化鋁層中的至少一層。

7.根據權利要求1-4任一項所述的電子器件，其特征在于，

所述襯底包括層疊設置的襯底本體和第一介質層，所述溝槽設置于所述第一介質層上，且所述溝槽貫穿所述第一介質層；所述納米線在靠近所述襯底本體的一側與所述襯底本體相接觸。

8.根據權利要求7所述的電子器件，其特征在于，所述襯底本體和所述第一介質層的材料相同。

9.根據權利要求8所述的電子器件，其特征在于，所述襯底本體的材料包括黃色聚酰亞胺、氮化硅或氧化硅中的至少一種。

10.根據權利要求1-9任一項所述的電子器件，其特征在于，所述電子器件還包括：

第二介質層，位于所述納米線遠離所述襯底的一側，且覆蓋所述襯底和所述納米線；所述第二介質層和所述襯底之間形成用于容納所述納米線的容納腔。

11.根據權利要求10所述的電子器件，其特征在于，在所述襯底包括層疊設置的襯底本體和第一介質層的情況下，所述第二介質層的材料與所述第一介質層的材料相同。

12.根據權利要求10或11所述的電子器件，其特征在于，所述納米線的材料為半導體材料，所述納米線的拉曼半峰寬為，與所述納米線的物質組分相同的單晶材料的拉曼半峰寬的1～2倍；所述納米線的峰位位于，與所述納米線的物質組分相同的單晶材料的峰位之差的范圍為0cm^-1～2cm^-1，所述電子器件還包括：

至少一個柵極，設置于所述第二介質層遠離所述襯底的一側表面；

源極和漏極，分別位于所述柵極的兩側，且與所述納米線的一部分相接觸。