[發(fā)明專利]一種環(huán)保高效的超薄封裝元件制作工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011375897.8 | 申請日: | 2020-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN112349604A | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙于豪 | 申請(專利權(quán))人: | 常州銀河世紀微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司: | 常州市科誼專利代理事務(wù)所 32225 | 代理人: | 孫彬 |
| 地址: | 213022 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 環(huán)保 高效 超薄 封裝 元件 制作 工藝 | ||
本發(fā)明公開了一種環(huán)保高效的超薄封裝元件制作工藝,包括如下步驟:S1、框架設(shè)計制作,采用厚度為0.15mm的不銹鋼板材料作為框架底板,通過鍍金屬層的方式在框架底板上制作產(chǎn)品基島;S2、裝片,采用導(dǎo)電膠或極細錫粉錫膏的中的任一種裝片工藝進行產(chǎn)品的芯片安裝,裝片完成后進行燒結(jié)或焊接處理保證裝片強度并形成良好的歐姆接觸,最后通過等離子清洗去除燒結(jié)或焊接處理過程中產(chǎn)生的揮發(fā)物。本發(fā)明提供一種環(huán)保高效的超薄封裝元件制作工藝,它取代了傳統(tǒng)的化學(xué)腐蝕分離的方法,更加環(huán)保。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種環(huán)保高效的超薄封裝元件制作工藝。
背景技術(shù)
目前,DFN封裝已經(jīng)在業(yè)界非常普遍,普通厚度的傳統(tǒng)產(chǎn)品已經(jīng)無法滿足當前的便攜式設(shè)備對小體積、高密度封裝的需求,產(chǎn)品在市場的沒有太多的競爭力。
厚度在250um以下的超薄封裝以其優(yōu)異的產(chǎn)品尺寸及性能特征更受市場端所歡迎,而超薄封裝所采用的電鍍框架雖然有效地降低了產(chǎn)品的高度,但是在產(chǎn)品與框架分離的環(huán)節(jié)一直飽受詬病,尤其目前是采用的化學(xué)腐蝕分離的方法,成本高昂,污染環(huán)境,不適合大批量生產(chǎn)加工。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是,克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種環(huán)保高效的超薄封裝元件制作工藝,它取代了傳統(tǒng)的化學(xué)腐蝕分離的方法,更加環(huán)保。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的技術(shù)方案是:
一種環(huán)保高效的超薄封裝元件制作工藝,包括如下步驟:
S1、框架設(shè)計制作
采用厚度為0.15mm的不銹鋼板材料作為框架底板,通過鍍金屬層的方式在框架底板上制作產(chǎn)品基島;
S2、裝片
采用導(dǎo)電膠或極細錫粉錫膏的中的任一種裝片工藝進行產(chǎn)品的芯片安裝,裝片完成后進行燒結(jié)或焊接處理保證裝片強度并形成良好的歐姆接觸,最后通過等離子清洗去除燒結(jié)或焊接處理過程中產(chǎn)生的揮發(fā)物;
S3、焊線
采用球焊工藝進行焊接,在保證良好的歐姆接觸的同時降低弧高,焊接材料主要為選用金線或者鍍鈀金線;
S4、等離子清洗
進行等離子清洗,保證產(chǎn)品在塑封前的表面清潔;
S5、塑封固化
產(chǎn)品裝入塑封模具,加入環(huán)氧樹脂包裹成型,使產(chǎn)品內(nèi)部的芯片和焊線能夠安全地保護,塑封后的產(chǎn)品經(jīng)過高溫150~175℃烘烤4~8小時,使環(huán)氧樹脂內(nèi)部結(jié)構(gòu)能夠充分反應(yīng);
S6、去框架底板
將產(chǎn)品放置在超薄封裝元件框架分離設(shè)備內(nèi),將框架底板與產(chǎn)品自動分離,去除框架底板后產(chǎn)品的底部全部露出鍍金屬層凸點,用于產(chǎn)品后續(xù)與PCB板之間的焊接;
S7、切割分離
將去除框架底板后的產(chǎn)品粘貼在UV上,按照產(chǎn)品設(shè)計的尺寸大小及外露的引腳之間的間距采用切割設(shè)備進行切割分離,切割后進行UV照射并使產(chǎn)品從UV上分離開,通過去膠、清洗并干燥烘干。
S8、測試、包裝
根據(jù)產(chǎn)品的電性規(guī)定設(shè)定測試程序進行電性能參數(shù)測試,通過測試合格產(chǎn)品按照印章內(nèi)容要求MARK打印,并對測試打印后產(chǎn)品進行外觀檢測通過后進行編帶包裝,形成合格成品。
進一步,所述步驟S1中通過鍍金屬層的方式在框架底板上制作產(chǎn)品基島的具體步驟為:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于常州銀河世紀微電子股份有限公司,未經(jīng)常州銀河世紀微電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011375897.8/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





