[發明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202011374922.0 | 申請日: | 2020-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN112382651A | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發明(設計)人: | 李彥松;劉月;畢娜;白珊珊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律智知識產權代理有限公司 11438 | 代理人: | 王輝;闞梓瑄 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發明涉及顯示技術領域,提出一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。該顯示面板具有第一區及第二區,該顯示面板包括襯底基板、發光層、第一電極和多個透明抑制圖案;發光層設于襯底基板的一側,發光層包括多個發光圖案,多個發光圖案互不交疊;多個透明抑制圖案設于襯底基板的一側,并位于至少部分相鄰的發光圖案之間,且位于第一區,多個透明抑制圖案之間間隔設置;第一電極設于發光層的遠離襯底基板的一側,第一電極上設置有多個通孔,通孔在襯底基板上的正投影與透明抑制圖案在襯底基板上的正投影重合。該顯示面板在透明抑制圖案之上沒有設置第一電極,避免第一電極對光線的遮擋,提高第一區的透光率。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及顯示面板的制備方法、包括該顯示面板的顯示裝置。
背景技術
隨著全面屏技術的發展,手機屏占比向著極致化的方向邁進,屏占比越高,視覺觀感就越震撼。繼劉海屏、水滴屏之后,又出現了“挖孔屏”,但這些并非真全面屏,對全面屏技術來說,要想達到滿眼全是顯示屏的效果。首要解決的問題就是前置攝像頭的“隱藏”,因此顯示屏下攝像才是終極解決方案,即做到如屏幕指紋技術一樣,將前置攝像頭真正“藏”起來。屏下攝像方案對屏下攝像顯示區的顯示屏的透光率提出一定要求,OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有機發光二極管)顯示面板中真正透光的部分是發光二極管(子像素)間的縫隙部分。
目前,比較主流的做法是“低像素密度方案”,即降低屏下攝像顯示區的像素密度,使屏下攝像顯示區的子像素間的空隙增大,從而提升透光率。但是,該區域稀疏的像素密度會導致與周圍正常顯示區的顯示有差異,降低觀感,因此,如何在保證顯示無差異的前提下,提高屏下攝像顯示區的顯示面板的透光率是一個難題。
所述背景技術部分公開的上述信息僅用于加強對本公開的背景的理解,因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
發明內容
本發明的目的在于克服上述現有技術的屏下攝像顯示區透光率較低的不足,提供一種屏下攝像顯示區透光率較高的顯示面板及顯示面板的制備方法、包括該顯示面板的顯示裝置。
本發明的額外方面和優點將部分地在下面的描述中闡述,并且部分地將從描述中變得顯然,或者可以通過本發明的實踐而習得。
根據本公開的一個方面,提供一種顯示面板,具有第一區以及第二區,所述顯示面板包括:
襯底基板;
發光層,設于所述襯底基板的一側,所述發光層包括多個發光圖案,所述多個發光圖案在所述襯底基板上的正投影互不交疊;
多個透明抑制圖案,設于所述襯底基板的一側,并位于至少部分相鄰的所述發光圖案之間,且所述透明抑制圖案位于所述第一區,多個所述透明抑制圖案之間間隔設置;
第一電極,設于所述發光層的遠離所述襯底基板的一側,所述第一電極上設置有多個通孔,所述通孔在所述襯底基板上的正投影與所述透明抑制圖案在所述襯底基板上的正投影重合。
在本公開的一種示例性實施例中,所述第一區的像素密度與所述第二區的像素密度相同。
在本公開的一種示例性實施例中,所述顯示面板還包括:
平坦化層,設于所述襯底基板的一側,所述平坦化層上設置有第一過孔;
像素定義層,設于所述平坦化層的遠離所述襯底基板的一側,所述像素定義層上設置有第三過孔和第四過孔,所述第三過孔與所述第一過孔連通;
所述透明抑制圖案設置在連通的所述第一過孔和所述第三過孔內,所述發光圖案設置在所述第四過孔內。
在本公開的一種示例性實施例中,所述透明抑制圖案的材料是強極性無機材料或強極性有機材料,所述第一電極的材料是導電金屬。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





