[發(fā)明專利]一種電子元件和電子設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011374920.1 | 申請日: | 2020-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN114582850A | 公開(公告)日: | 2022-06-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫捷;莫瑞明;楊曦晨;徐毅 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L23/367;H01L23/04;H01L23/10 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 陳松浩 |
| 地址: | 201206 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電子元件 電子設(shè)備 | ||
本申請實施例公開了一種電子元件和電子設(shè)備,用于實現(xiàn)了立體層疊結(jié)構(gòu),降低面積,改善散熱。本申請實施例中包括上蓋板、下蓋板和圍框,其中,上蓋板承載第一電路,下蓋板承載第二電路,圍框分別連接上蓋板與下蓋板,圍框內(nèi)設(shè)有互連線路,互連線路用于實現(xiàn)第一電路和第二電路的互連,第一電路和第二電路在互不干涉的情況下垂直方向上有重疊,由于圍框的高度不低于預(yù)設(shè)高度,預(yù)設(shè)高度高于第一電路的高度和第二電路的高度之和,因此實現(xiàn)了上蓋板和下蓋板的之間的立體層疊結(jié)構(gòu),降低該電子設(shè)備的面積。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種電子元件和電子設(shè)備。
背景技術(shù)
功率放大器(簡稱:功放)是無線基站中承擔(dān)功率放大的關(guān)鍵部件。功放的特性指標(biāo)包括飽和功率和效率,它們決定了基站的功耗、尺寸、散熱形態(tài)要求等。相比較傳統(tǒng)的遙控射頻單元(remote radio unit,RRU)的功放,大規(guī)模多進(jìn)多出(massive MIMO,MM)技術(shù)下的功放呈現(xiàn)出小功率、集成度高等特點。
如圖1-1所示,為功放的基于封裝芯片的平面布局解決方案示意圖,是一個典型的兩級放大電路,由偏置電路、控制電路、匹配電路以及有源芯片等部分組成。但是這四個部分放置于同一平面上,尺寸過大,需要考慮小型化措施以滿足MM產(chǎn)品的需求。
當(dāng)前,如圖1-2所示,單片微波集成電路(monolithic microwave integratedcircuit,MMIC)解決方案將部分匹配電路、偏置電路甚至部分控制電路集成到有源芯片上,能夠大幅降低整個鏈路的面積,以滿足MM產(chǎn)品的小型化需求。
但是,無源電路與有源電路做到一個有源芯片上,無源電路需要與有源電路采用相同的工藝,成本較高,相對于傳統(tǒng)的表面貼裝器件(surface mounted devices,SMD)器件,芯片上集成的無源電路耐壓、Q值均較差,會影響鏈路的性能(增益、效率及飽和功率等),而且芯片的流片時間非常長(一般為幾個月),性能迭代非常慢,且流片價格非常昂貴。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┝艘环N電子元件和電子設(shè)備,用于實現(xiàn)了立體層疊結(jié)構(gòu),降低面積,改善散熱。
本申請第一方面提供一種電子元件,包括上蓋板、下蓋板和圍框。其中,上蓋板承載第一電路,下蓋板承載第二電路,圍框分別連接上蓋板與下蓋板,圍框內(nèi)設(shè)有互連線路,所述互連線路用于實現(xiàn)第一電路和第二電路的互連,第一電路和第二電路在互不干涉的情況下垂直方向上有重疊,由于圍框的高度不低于預(yù)設(shè)高度,預(yù)設(shè)高度高于第一電路的高度和第二電路的高度之和,因此實現(xiàn)了上蓋板和下蓋板的之間的立體層疊結(jié)構(gòu),降低該電子設(shè)備的面積。
在一些可能的實現(xiàn)方式中,所述圍框的材質(zhì)為PCB或塑料制品,用于固定連接上蓋板和下蓋板。
在一些可能的實現(xiàn)方式中,當(dāng)圍框的材質(zhì)是PCB板時,圍框可以內(nèi)設(shè)無源集成電路,用于在所述第一電路和所述第二電路之間傳輸直流偏置信號、開關(guān)控制信號和/或射頻信號。常見的無源集成電路包括功分器和/或耦合電路。
在一些可能的實現(xiàn)方式中,當(dāng)圍框的材質(zhì)為塑料制品時,也可以不內(nèi)設(shè)無源集成電路,而是將無源集成電路設(shè)置在上蓋板上。
在一些可能的實現(xiàn)方式中,所述圍框可以進(jìn)行金屬化處理,使其具有屏蔽信號的能力,用于屏蔽信號。具體的,金屬化處理可以為電鍍的方式,所使用的金屬可以為銅、金、鎳、鈀等金屬。
在一些可能的實現(xiàn)方式中,所述第一電路包括輔助電路器件,所述輔助電路器件包括控制電路和/或偏置電路。需要說明的是,輔助電路器件為成套設(shè)備中(除主電路以外)用于控制、測量、信號和調(diào)節(jié),數(shù)據(jù)處理等電路上所有的導(dǎo)電部件。
在一些可能的實現(xiàn)方式中,第一電路還可以使用表面貼裝器件(surface mounteddevices,SMD)器件做匹配,相對于高集成的MMIC解決方案,SMD的Q值和損耗均比較小,鏈路性能較好(增益、效率及飽和功率等),成本更低。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華為技術(shù)有限公司,未經(jīng)上海華為技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011374920.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





