[發(fā)明專利]襯底處理裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011373950.0 | 申請日: | 2020-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN113314435A | 公開(公告)日: | 2021-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 澤島隼;山口貴大;小林健司 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社斯庫林集團(tuán) |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 陳甜甜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 處理 裝置 | ||
1.一種襯底處理裝置,其特征在于具備:
襯底搬送機(jī)構(gòu),搬送襯底;及
多個處理單元,對由所述襯底搬送機(jī)構(gòu)搬送的襯底進(jìn)行特定的藥液處理;且
所述多個處理單元沿著所述襯底搬送機(jī)構(gòu)的搬送路徑排列配置,并且以隔著所述搬送路徑對向的方式相向配置,進(jìn)而以在上下方向上積層的方式配置,且
所述各處理單元具備:
處理室,為一區(qū)域,在區(qū)域中配置著在保持襯底的狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)的保持旋轉(zhuǎn)部,對由所述保持旋轉(zhuǎn)部保持并旋轉(zhuǎn)的襯底進(jìn)行藥液處理,且經(jīng)由襯底搬送口在與所述襯底搬送機(jī)構(gòu)之間交換襯底;
藥液配管部,為配置著用來向所述處理室供給藥液的藥液配管的區(qū)域;及
排氣室,經(jīng)由排氣口與所述處理室連通以對所述處理室內(nèi)進(jìn)行排氣,并且與在上下方向上延伸的排氣管連通;
所述所有處理單元中,所述處理室、所述藥液配管部及所述排氣室沿著所述搬送路徑排列配置,且從所述搬送路徑側(cè)觀察時,在所述處理室的一側(cè)配置著所述藥液配管部,并以隔著所述處理室與所述藥液配管部對向的方式配置著所述排氣室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其特征在于,
所述排氣室與在上下方向上延伸的多條排氣管連通,并且
所述排氣室具備將來自所述處理室的氣體的排氣路切換至所述多條排氣管中的任一者的開閉機(jī)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置,其特征在于,
所述處理室還具備向由所述保持旋轉(zhuǎn)部所保持的襯底供給藥液的液體供給部,
所述開閉機(jī)構(gòu)在所述液體供給部供給酸系藥液的情況下,將來自所述處理室的氣體的排氣路切換至所述多條排氣管中的第1排氣管,
所述開閉機(jī)構(gòu)在所述液體供給部供給堿系藥液的情況下,將來自所述處理室的氣體的排氣路切換至所述多條排氣管中的第2排氣管,
所述開閉機(jī)構(gòu)在所述液體供給部供給有機(jī)系藥液的情況下,將來自所述處理室的氣體的排氣路切換至所述多條排氣管中的第3排氣管。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的襯底處理裝置,其特征在于,
所述處理室以在俯視下隔著所述保持旋轉(zhuǎn)部與所述襯底搬送口對向的方式具有側(cè)壁,
所述保持旋轉(zhuǎn)部在所述處理室中配置在與所述側(cè)壁相比更靠近所述襯底搬送口的位置,
所述多條排氣管在與所述搬送路徑延伸的方向正交的水平方向上排成1列,
所述排氣室的所述排氣口配置得比所述多條排氣管更靠近所述搬送路徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的襯底處理裝置,其特征在于,
還具備位置比所述多個處理單元更高、且沿著所述搬送路徑設(shè)置的水平排氣管,
所述水平排氣管經(jīng)由所述排氣管,與在上下方向上積層成一列的多個處理單元各自的所述排氣室連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其特征在于,
所述排氣室具備壓力調(diào)整機(jī)構(gòu),該壓力調(diào)整機(jī)構(gòu)設(shè)置在所述排氣口附近,對通過所述排氣口的氣體的壓力進(jìn)行調(diào)整。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置,其特征在于,
還具備1個以上的襯底搬送機(jī)構(gòu),
多個襯底搬送機(jī)構(gòu)各自對在上下方向上積層的多個處理單元中預(yù)先設(shè)定的級的多個處理單元搬送襯底。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





