[發明專利]一種高穩定性雙溫區大容積爐源裝置

在審

• 申請號: 202011373062.9
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112359326A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 張朱鋒;管家月;謝斌平
• 申請（專利權）人: 費勉儀器科技（南京）有限公司;費勉儀器科技（上海）有限公司
• 主分類號: C23C14/26
• 分類號: C23C14/26;C23C14/54
• 代理公司: 南京瑞華騰知識產權代理事務所(普通合伙) 32368
• 代理人: 梁金娟

本發明公開了一種高穩定性雙溫區大容積爐源裝置，包括用于與腔體連接的真空法蘭，真空法蘭的一側設置有多個熱電偶饋通，真空法蘭的另一側通過支撐桿固定有支撐圓盤，支撐圓盤的上方固定有中空的外筒，外筒的內壁設置有下溫區加熱組件和上溫區加熱組件，加熱組件包括多個固定片、設置在固定片上的方槽以及插接在方槽內的加熱板，外筒的內部設置有坩堝，且下溫區加熱組件和上溫區加熱組件分別位于坩堝外表面的下部和上部，支撐圓盤上設置有上溫區熱電偶和下溫區熱電偶。本發明在加熱區域采用多個固定片對整個加熱板進行固定，可以得到更好的真空；結構簡單，減少因為零件損壞而產生更換幾率；固定片上所設置的方槽使得加熱板的安裝更加簡單。

技術領域

本發明屬于爐源裝置技術領域，具體涉及一種高穩定性雙溫區大容積爐源裝置。

背景技術

高穩定性雙溫區大容積蒸發源是使用在真空鍍膜設備中的部件，把坩堝內部裝載的材料加熱到適當的溫度，使其原子或分子獲得足夠的能量，脫離材料表面的束縛而蒸發到真空中成為原子或分子，它以直線噴射到基片表面并沉積，形成高質量薄膜。大容積蒸發源可以由PID精準控制，并通過熱偶提供溫度反饋，保證束流穩定性，均勻性，可重復性。

現有技術利用的是金屬片熱輻射的熱量來加熱坩堝內材料，使得其蒸發成原子或分子。現有技術加熱區域由加熱片、固定片、鉭固定環、金屬絲、隔熱片等組成，使用的零件繁多，達200多件。組成的零件數量越多，零件放氣量越多，不易取得鍍膜所需的真空。零件數量多，且零件尺寸小，導致蒸發源零件加工難度高，加工成本高。眾多零件均使用金屬絲穿插纏繞的方式固定，組裝工序復雜、費時，維護困難，給使用帶來不便。

發明內容

本發明的目的在于提供一種高穩定性雙溫區大容積爐源裝置，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種高穩定性雙溫區大容積爐源裝置，包括用于與腔體連接的真空法蘭，所述真空法蘭的一側設置有多個熱電偶饋通，所述真空法蘭的另一側通過支撐桿固定有支撐圓盤，所述支撐圓盤的上方固定有中空的外筒，且外筒的兩端均設置為開口。

所述外筒的內壁設置有下溫區加熱組件和上溫區加熱組件，所述下溫區加熱組件和上溫區加熱組件均包括多個固定片，其固定片區別于現有技術的200多個零件，為整個一體式的固定片。設置在固定片上的方槽以及插接在方槽內的加熱板。

所述外筒的內部設置有坩堝，且下溫區加熱組件和上溫區加熱組件分別位于坩堝外表面的下部和上部。

所述支撐圓盤的上設置有上溫區熱電偶和下溫區熱電偶，所述上溫區熱電偶的測溫頭位于上溫區加熱組件處，所述下溫區熱電偶的測溫頭位于下溫區加熱組件處。

優選的是，所述加熱板為一個加熱片連續彎曲組成。

上述任一方案中優選的是，所述固定片為一體式固定片。

上述任一方案中優選的是，所述方槽的寬度不小于兩個加熱片的寬度。

上述任一方案中優選的是，所述真空法蘭的表面設置有螺栓孔，通過螺栓將真空法蘭與腔體固定連接。。

上述任一方案中優選的是，所述熱電偶饋通設置為4個，4個所述熱電偶饋通等列分布在真空法蘭的一側。

上述任一方案中優選的是，所述坩堝的頂部設置為向外延伸的圓環，且圓環直徑的不小于固定片的直徑。

上述任一方案中優選的是，所述下溫區加熱組件和上溫區加熱組件結構相同，且上溫區加熱組件的直徑大于下溫區加熱組件的直徑。

本發明的技術效果和優點：該高穩定性雙溫區大容積爐源裝置在加熱區域采用多個固定片對整個加熱片進行固定，組成的零件數量少，零件放氣量少，可以得到更好的真空；結構簡單，減少因為零件損壞而產生更換幾率；固定片上所設置的方槽使得加熱板的安裝更加簡單、牢固，方便使用。