[發明專利]一種靜電吸頭及其制造方法、以及轉移Micro LED方法

在審

• 申請號: 202011372649.8
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112447578A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 張有為;周宇;朱充沛;高威
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01L25/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供一種靜電吸頭及其制造方法、以及轉移Micro LED方法，一種靜電吸頭，包括位于玻璃基板上且陣列設置的記憶合金層、緩沖層、電極層和介電層，其中緩沖層、電極層和介電層依序位于記憶合金層上。本發明靜電吸頭的緩沖層保護靜電吸頭的電極層和Micro LED，可恢復性伸縮材料制成的記憶合金層可以補償暫存基板的翹曲、膜層均一性差等帶來的gap值，提高靜電力，增加轉移良率。

技術領域

本發明涉及一種Micro LED的技術領域，尤其涉及一種靜電吸頭及其制造方法、以及轉移Micro LED方法。

背景技術

Micro LED為無機發光材料具有發光效率高、壽命長、可靠性高的優點而被廣泛關注，為了制作全彩的顯示器需要把R、G、B三種顏色的micro LED從各自的生長基板上進行拾取，然后放置在驅動背板上，對micro LED進行拾取時需要施加外力，通常的力有靜電吸附力，粘性吸附力，磁性吸附力，真空吸附力等。

LED在制作過程中存在均一性問題，可能高低不同，這樣靜電吸頭在吸取過程中，有些較低的LED很難吸取，良率低

發明內容

本發明的目的在于提供一種提供靜電力和增加轉移良率的靜電吸頭及其制造方法、以及轉移Micro LED方法。

本發明提供一種靜電吸頭的制造方法，包括如下步驟：

S1：在玻璃基板沉積記憶合金材料層，對記憶合金材料層進行圖案化形成陣列設置的記憶合金層；

S2：在記憶合金層上制作圖案化的緩沖層；

S3：在緩沖層上制作圖案化的電極層；

S4：化學沉積方法形成介電材料層，然后通過干刻形成圖案化介電層。

進一步地，步驟S1的記憶合金層通過剝離方式形成的。

進一步地，步驟S2的緩沖層的材料為有機樹脂或疏水類的有機硅物料。

進一步地，步驟S3的電極層的材料為鉑或金。

進一步地，步驟S4的介電材料層為氮化硅。

本發明還提供一種靜電吸頭，其特征在于，包括位于玻璃基板上且陣列設置的記憶合金層、緩沖層、電極層和介電層，其中緩沖層、電極層和介電層依序位于記憶合金層上。

本發明還提供一種Micro LED轉移方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：靜電吸頭的介電層與暫存基板上的待轉移Micro LED對位貼合；

S2：對靜電吸頭進行加熱，記憶合金層進行伸縮，使得電極層通過介電層對MicroLED進行拾取；

S3：維持靜電吸頭的溫度，靜電吸頭把Micro LED轉移至背板基板上的鍵合電極上，Micro LED和鍵合電極進行鍵合；

S4：靜電吸頭釋放Micro LED至背板基板上；

S5：移走靜電吸頭。

本發明靜電吸頭的緩沖層保護靜電吸頭的電極層和Micro LED，可恢復性伸縮材料制成的記憶合金層可以補償暫存基板的翹曲、膜層均一性差等帶來的gap值，提高靜電力，增加轉移良率。

附圖說明

圖1至圖4為本發明靜電吸頭制造步驟的示意圖；

圖5和圖6為本發明Micro LED轉移方法的示意圖。

具體實施方式