[發明專利]一種靜電吸頭及其制造方法、以及轉移Micro LED方法在審
| 申請號: | 202011372649.8 | 申請日: | 2020-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN112447578A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 張有為;周宇;朱充沛;高威 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;H01L25/075 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 靜電 吸頭 及其 制造 方法 以及 轉移 micro led | ||
1.一種靜電吸頭的制造方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1:在玻璃基板沉積記憶合金材料層,對記憶合金材料層進行圖案化形成陣列設置的記憶合金層;
S2:在記憶合金層上制作圖案化的緩沖層;
S3:在緩沖層上制作圖案化的電極層;
S4:化學沉積方法形成介電材料層,然后通過干刻形成圖案化介電層。
2.根據權利要求1所述的靜電吸頭的制造方法,其特征在于,步驟S1的記憶合金層通過剝離方式形成的。
3.根據權利要求1所述的靜電吸頭的制造方法,其特征在于,步驟S2的緩沖層的材料為有機樹脂或疏水類的有機硅物料。
4.根據權利要求1所述的靜電吸頭的制造方法,其特征在于,步驟S3的電極層的材料為鉑或金。
5.根據權利要求1所述的靜電吸頭的制造方法,其特征在于,步驟S4的介電材料層為氮化硅。
6.一種靜電吸頭,其特征在于,包括位于玻璃基板上且陣列設置的記憶合金層、緩沖層、電極層和介電層,其中緩沖層、電極層和介電層依序位于記憶合金層上。
7.一種Micro LED轉移方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1:靜電吸頭的介電層與暫存基板上的待轉移Micro LED對位貼合;
S2:對靜電吸頭進行加熱,記憶合金層進行伸縮,使得電極層通過介電層對Micro LED進行拾取;
S3:維持靜電吸頭的溫度,靜電吸頭把Micro LED轉移至背板基板上的鍵合電極上,Micro LED和鍵合電極進行鍵合;
S4:靜電吸頭釋放Micro LED至背板基板上;
S5:移走靜電吸頭。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司,未經南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011372649.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





