[發明專利]電子束探測技術及相關結構在審
| 申請號: | 202011371916.X | 申請日: | 2020-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN112992197A | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發明(設計)人: | A·馬宗達;R·科蒂;M·拉賈舍克阿雷亞 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G11C5/06 | 分類號: | G11C5/06;G11C29/04 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子束 探測 技術 相關 結構 | ||
1.一種方法,其包括:
在存儲器器件的襯底上方形成第一材料;
在所述第一材料上方形成第二材料的凸起線及由所述第二材料圍繞的溝槽;以及
至少部分基于所述凸起線形成所述第一材料的第一回路且至少部分基于所述溝槽形成所述第一材料的第二回路,其中:
所述第一回路的第一子集電浮動且所述第一回路的第二子集與所述存儲器器件的接地基準耦合;并且
所述第二回路的第一子集電浮動且所述第二回路的第二子集與所述存儲器器件的所述接地基準耦合。
2.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:
在所述第一材料上方形成第三材料的第一回路集合和所述第三材料的第二回路集合,其中:
所述第三材料的所述第一回路集合中的每一個圍繞集合的對應凸起線;并且
所述第三材料的所述第二回路集合中的每一個在所述集合的溝槽內。
3.根據權利要求2所述的方法,其中形成所述第一材料的所述第一回路和所述第一材料的所述第二回路包括:
在使用所述第三材料的所述第一回路集合作為所述第一材料的所述第一回路的第一掩模并使用所述第三材料的所述第二回路集合作為所述第一材料的所述第二回路的第二掩模的同時,移除所述第一材料的一部分。
4.根據權利要求2所述的方法,其中形成所述第三材料的所述第一回路集合和所述第三材料的所述第二回路集合包括:
在凸起線集合的側壁上和溝槽集合的側壁上共形地形成所述第三材料。
5.根據權利要求1所述的方法,其中形成所述溝槽包括:
形成所述第二材料的第二凸起線集合,所述第二凸起線集合平行于所述凸起線;以及
形成所述第二材料的第三凸起線集合,其中所述第三凸起線集合與所述第二凸起線集合相交,所述集合的每一溝槽由第二集合的兩個凸起線和第三集合的兩個凸起線圍繞。
6.根據權利要求5所述的方法,其中所述第二凸起線集合和所述第三凸起線集合至少部分基于同一光刻掩模同時形成。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述第一回路和所述第二回路同時形成。
8.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:
在所述第一材料下方形成驅動器集合,所述驅動器集合包含用于所述第一回路中的每一個和所述第二回路中的每一個的對應驅動器;以及
對于所述第一回路的所述第二子集中的每一個和所述第二回路的所述第二子集中的每一個,形成與對應驅動器的互連,其中所述第一回路的所述第一子集中的每一個和所述第二回路的所述第一子集中的每一個不與任何驅動器耦合。
9.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括:
形成所述存儲器器件的存取線,所述存取線包括所述第一材料。
10.根據權利要求1所述的方法,其中:
所述第一材料形成為用于所述存儲器器件的存取線和存儲器單元的材料疊層的一部分;并且
形成所述第一材料的第一回路或所述第二材料的第二回路包括形成所述材料疊層的對應回路。
11.根據權利要求1所述的方法,所述集合的所述凸起線和所述集合的所述溝槽各自具有錐形末端。
12.根據權利要求1所述的方法,其中:
形成所述第一材料的第一同心回路集合,所述第一同心回路集合中的第一同心回路各自圍繞所述第一材料的對應第一回路;并且
形成所述第一材料的第二同心回路集合,所述第二同心回路集合中的第二同心回路各自圍繞所述第一材料的對應第二回路,其中:
所述第一同心回路的第一子集電浮動且所述第一同心回路的第二子集與所述存儲器器件的所述接地基準耦合;并且
所述第二同心回路的第一子集電浮動且所述第二同心回路的第二子集與所述存儲器器件的所述接地基準耦合。
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