[發明專利]電子束探測技術及相關結構

在審

• 申請號: 202011371916.X
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112992197A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: A·馬宗達;R·科蒂;M·拉賈舍克阿雷亞
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06;G11C29/04
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請涉及電子束探測技術及相關結構。可形成導電回路，其中一些可接地，且另一些可根據預定圖案電浮動。可以用電子束掃描回路，并且可以使用圖像分析技術來生成光學圖案。可以將所生成的光學圖案與期望的光學圖案進行比較，所述期望的光學圖案可以基于接地和浮動回路的所述預定圖案。可基于所述所生成的光學圖案與所述預期的光學圖案之間的差異來確定電缺陷。例如，如果第二回路呈現為具有對應于接地回路的亮度，則這可指示存在意外短路。可針對后續器件調整制作技術以校正所識別的缺陷。

交叉引用

本專利申請要求于2019年12月2日提交的馬宗達(Majumdar)等人的標題為“ELECTRON BEAM PROBING TECHNIQUES AND RELATED STRUCTURES”(電子束探測技術及相關結構)的美國專利申請第16/700,976的優先權，所述申請已轉讓給本申請的受讓人，并在此通過引用將其全部內容并入本申請。

技術領域

技術領域涉及電子束探測技術及相關結構。

背景技術

以下通常涉及電子器件(例如，存儲器器件之類的半導體器件)，并且更具體地，涉及電子束探測技術及相關結構。

存儲器器件廣泛用于在例如計算機、無線通信器件、照相機、數字顯示器等各種電子器件中存儲信息。通過將存儲器器件內的存儲器單元編程到各種狀態來存儲信息。例如，可將二進制存儲器單元編程到通常由邏輯1或邏輯0表示的兩種支持狀態中的一種。在一些實例中，單個存儲器單元可支持兩種以上狀態，其中任一狀態可被存儲。為了存取所存儲的信息，組件可讀取或感測存儲器器件中的至少一個存儲的狀態。為了存儲信息，組件可在存儲器器件中寫入或編程狀態。

存在各種類型的存儲器器件和存儲器單元，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻性RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)、自選擇存儲器、硫屬化合物存儲器技藝等。存儲單元可以是易失性或非易失性的。非易失性存儲器例如FeRAM，即使在沒有外部電源的情況下也可在延長的時間段內維持其存儲的邏輯狀態。易失性存儲器器件例如DRAM，在與外部電源斷開時可能失去其存儲狀態。

在一些情況下，存儲器器件可包含一或多個電缺陷，例如意外傳導路徑(例如，短路)，所述電缺陷可能抑制存儲器器件性能。可能需要用于確定存儲器器件內的電缺陷的器件和技術。

發明內容

描述了一種方法。所述方法可包含：在存儲器器件的襯底上方形成第一材料；在第一材料上方形成第二材料的凸起線和由第二材料圍繞的溝槽；以及至少部分基于凸起線形成第一材料的第一回路且至少部分基于溝槽形成第一材料的第二回路，其中第一回路的第一子集電浮動且第一回路的第二子集與存儲器器件的接地基準耦合，且第二回路的第一子集電浮動且第二回路的第二子集與存儲器器件的接地基準耦合。

描述了一種方法。所述方法可包含：識別回路集合，其中回路集合的第一子集與接地基準耦合且回路集合的第二子集與接地基準隔離；用電子束掃描回路集合；至少部分基于用電子束掃描回路集合來生成光學圖案；將所生成的光學圖案與第二光學圖案進行比較；至少部分基于所生成的光學圖案與第二光學圖案之間的不同來確定泄漏路徑。

描述了一種裝置。所述裝置可包含：用于存儲器器件的存取線集合，所述存取線集合在存儲器器件的第一層級處且包含第一材料；包含第一材料且在存儲器器件的第一層級處的第一線集合，所述第一線集合中的第一線各自電浮動；包含第一材料且在存儲器器件的第一層級處的第二線集合，所述第二線集合與接地基準耦合，其中第一集合的至少兩個線被夾置于第二集合的第一個線和第二集合的第二個線之間。

附圖說明

圖1說明根據本文所公開的實例的支持電子束探測技術及相關結構的存儲器陣列的實例。