[發明專利]具有靜電卡盤的基板處理裝置及基板處理方法

在審

• 申請號: 202011371910.2
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112992639A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 野澤俊久
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/683;C23C16/458;C23C16/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

基板處理裝置的示例包括：腔室；設置在腔室內的上蓋；靜電卡盤，其包括電介質體的環形部分和嵌入該環形部分中的嵌入電極，該靜電卡盤設置在腔室內；以及等離子體單元，配置為在上蓋和靜電卡盤下方的區域中產生等離子體，其中，環形部分包括位于上蓋的緊下方的環形第一上表面和位于上蓋的緊下方并圍繞第一上表面的第二上表面，第二上表面具有高于第一上表面的高度的高度。

技術領域

描述了涉及基板處理裝置和基板處理方法的示例。

背景技術

US 9,881,788 B公開了用于在基板的前表面和后表面之一上沉積應力補償層和犧牲層的方法和設備。具體地，在晶片的前表面朝上取向的狀態下執行背側沉積。可以執行在前表面或后表面上的層的這樣的沉積，以減小由于在前表面上的晶片的沉積而引入的應力。可以執行背側沉積以使與在諸如光刻的沉積后處理期間產生的背側顆粒有關的問題最小化。期望對這種技術進行改進。

發明內容

在此描述的一些示例可以解決上述問題。在此描述的一些示例可以提供使得能夠在基板的下表面上執行等離子體處理的基板處理裝置和基板處理方法。

在一些示例中，基板處理裝置包括：腔室；設置在腔室內的上蓋；靜電卡盤，其包括電介質體的環形部分和嵌入該環形部分中的嵌入電極，該靜電卡盤設置在腔室內；以及等離子體單元，配置為在上蓋和靜電卡盤下方的區域中產生等離子體，其中，環形部分包括位于上蓋的緊下方的環形第一上表面，和位于上蓋的緊下方并且圍繞第一上表面的第二上表面，所述第二上表面具有高于所述第一上表面的高度的高度。

附圖說明

圖1是示出基板處理裝置的構造示例的剖視圖；

圖2是靜電卡盤的平面圖；

圖3是示出旋轉臂被旋轉的剖視圖；

圖4是示出旋轉臂的構造示例的平面圖；

圖5是旋轉臂和靜電卡盤的平面圖；

圖6是示出基板的引入的剖視圖；

圖7是示出基板與靜電卡盤之間的接觸的剖視圖；

圖8是由靜電卡盤支撐的基板的平面圖；

圖9是示出等離子處理的示例的剖視圖；

圖10A是示出根據另一示例的基板處理裝置的構造示例的剖視圖；

圖10B是圖10A的一部分的放大圖；

圖11是示出包括微波等離子體產生裝置的基板處理裝置的構造示例的剖視圖；

圖12是示出包括感應耦合等離子體裝置的基板處理裝置的構造示例的剖視圖；和

圖13是示出包括感應耦合等離子體裝置的基板處理裝置的另一構造示例的剖視圖。

具體實施方式

將參照附圖描述基板處理裝置和基板處理方法。存在將相同的附圖標記分配給相同或相應的部件的情況，并且重復的描述被省略。

圖1是示出根據實施方式的基板處理裝置的構造示例的截面圖。該基板處理裝置是平行板型等離子體處理裝置。門12附接到腔室10，以便能夠向腔室10的內部提供基板或從腔室10取出基板。腔室10可以被提供作為雙腔室模塊(DCM)的一部分或四腔室模塊(QCM)的一部分。上蓋14設置在腔室10的內部。根據示例，上蓋14設置為地電極。地電極是用于接地的電極。