[發(fā)明專(zhuān)利]具有靜電卡盤(pán)的基板處理裝置及基板處理方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011371910.2 | 申請(qǐng)日： | 2020-11-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112992639A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 野澤俊久 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01J37/32 | 分類(lèi)號(hào)： | H01J37/32;H01L21/683;C23C16/458;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 靜電 卡盤(pán) 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置，包括：
腔室；
上蓋，所述上蓋設(shè)置在所述腔室內(nèi)；
靜電卡盤(pán)，所述靜電卡盤(pán)包括電介質(zhì)體的環(huán)形部分和嵌入到所述環(huán)形部分中的嵌入電極，所述靜電卡盤(pán)設(shè)置在所述腔室內(nèi)；以及
等離子體單元，所述等離子體單元配置為在所述上蓋和所述靜電卡盤(pán)下方的區(qū)域中產(chǎn)生等離子體，
其中，所述環(huán)形部分包括位于所述上蓋的緊下方的環(huán)形第一上表面和位于所述上蓋的緊下方并圍繞所述第一上表面的第二上表面，所述第二上表面具有高于所述第一上表面的高度的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，所述等離子體單元包括設(shè)置在所述上蓋的下方以面對(duì)所述上蓋的噴淋板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中，所述上蓋被提供作為地電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，所述等離子體單元包括微波等離子體產(chǎn)生裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，所述等離子體單元包括感應(yīng)耦合等離子體裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中，所述上蓋的下表面包括第一下表面和圍繞所述第一下表面并且位于所述第一下表面下方的第二下表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其中，所述第二上表面位于所述第二下表面的緊下方，并且當(dāng)所述第二下表面與所述第二上表面接觸時(shí)，氣體穿過(guò)所述上蓋與所述靜電卡盤(pán)之間的空間的流動(dòng)被抑制。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中，當(dāng)所述上蓋的所述下表面與所述第二上表面接觸時(shí)，氣體穿過(guò)所述上蓋的所述下表面與所述第二上表面之間的空間的流動(dòng)被阻止。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，包括：
第一提升機(jī)構(gòu)，其配置為使所述上蓋在所述腔室內(nèi)上下移動(dòng)；和
第二提升機(jī)構(gòu)，其配置為使所述靜電卡盤(pán)在所述腔室內(nèi)上下移動(dòng)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中，所述嵌入電極位于所述第一上表面的緊下方。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中，支撐銷(xiāo)被設(shè)置為能夠從所述上蓋的緊下方的位置撤離。
12.一種基板處理方法，按以下的順序包括：
將基板放在支撐銷(xiāo)上，該支撐銷(xiāo)設(shè)置在上蓋的緊下方；
暴露所述基板的下表面的中央部分，同時(shí)用靜電卡盤(pán)的環(huán)形第一上表面支撐所述基板的所述下表面的外邊緣部分；
使所述靜電卡盤(pán)的第二上表面與所述上蓋緊密接觸，同時(shí)避免所述上蓋和所述基板之間的接觸，所述第二上表面圍繞所述第一上表面并且具有高于所述第一上表面的高度的高度；以及
在所述基板被所述靜電卡盤(pán)吸引到所述第一上表面的狀態(tài)下，在所述基板的所述下表面的所述中央部分上進(jìn)行等離子體處理。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理方法，其中，由所述基板、所述靜電卡盤(pán)和所述上蓋圍繞的封閉空間在所述等離子體處理期間產(chǎn)生。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的基板處理方法，其中，所述基板的所述下表面的整個(gè)外邊緣部分被所述靜電卡盤(pán)吸引到所述第一上表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的基板處理方法，其中，在所述等離子體處理中，氧化物膜或氮化物膜形成在所述基板的所述下表面的所述中央部分。
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