[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和數字X射線探測器裝置在審
| 申請號: | 202011371850.4 | 申請日: | 2020-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN112992943A | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發明(設計)人: | 孔敏碩;姜汶秀 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G01T1/20;G01T1/24 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 段丹輝;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 及其 制造 方法 數字 射線 探測器 裝置 | ||
薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和數字X射線探測器裝置。提供了一種能夠使PIN二極管的泄漏電流最小化的用于數字X射線探測器裝置的薄膜晶體管陣列基板和數字X射線探測器裝置及其制造方法。泄漏電流阻擋層被形成為覆蓋并接觸PIN二極管的PIN層的側表面,以阻止PIN層和絕緣層之間的接觸,從而使PIN二極管的泄漏電流的產生最小化。此外,根據本公開,PIN二極管的泄漏電流的產生被最小化以提高讀出線的檢測功率,從而改善諸如檢測量子效率(DQE)和信噪比(SNR)這樣的特性并且改善數字X射線探測器裝置的圖像質量。
技術領域
本公開涉及能夠使PIN(P型半導體-本征型半導體-N型半導體)二極管的泄漏電流最小化的用于數字X射線探測器裝置的薄膜晶體管陣列基板和數字X射線探測器裝置及其制造方法。
背景技術
因為X射線具有短波長,所以X射線可以容易地穿過對象。X射線的透射比取決于對象的內部密度。因此,可以通過檢測透過對象的X射線的量來觀察對象的內部結構。
用于醫學領域的基于X射線的檢查方法之一是膠片打印方案。然而,在膠片打印方案中,為了檢查結果,拍攝圖像,然后打印膠片。因此,檢查結果花費長時間。特別地,在膠片打印方案中,在儲存和保存打印的膠片方面存在一些困難。
使用薄膜晶體管的數字X射線探測器(DXD)裝置已經進行開發并且廣泛用于醫學領域。
DXD裝置檢測透過對象的X射線的透射比,并基于該透射比在顯示器上顯示對象的內部狀態。
因此,數字X射線探測器裝置可以顯示對象的內部結構,而無需使用附加膜和打印紙。此外,DXD裝置可以在X射線拍攝之后立即實時地檢查結果。
發明內容
數字X射線探測器裝置檢測數字X射線檢測面板內部的電流以基于該電流實現圖像,并且包括將X射線轉換成光的閃爍體(scintillator)層、對光做出響應的光電PIN(P型半導體-本征型半導體-N型半導體)二極管以及諸如驅動光電PIN二極管的驅動薄膜晶體管這樣的各種類型的元件。
閃爍體層將照射至數字X射線探測器裝置的X射線轉換成可見光。PIN二極管的PIN層將可見光轉換成電信號。
在一些示例中,由PIN二極管轉換的電信號通過讀出線傳輸到讀出電路。
在這種情況下,電流可能通過PIN層的側表面泄漏。讀出線的檢測功率由于所產生的泄漏電流而下降,這導致數字X射線探測器裝置的圖像質量劣化。
因此,本公開的發明人發明了一種能夠使PIN二極管的泄漏電流最小化的用于數字X射線探測器裝置的薄膜晶體管陣列基板和數字X射線探測器裝置及其制造方法。
本公開提供了一種能夠使泄漏電流的產生最小化的用于X射線探測器裝置的薄膜晶體管陣列基板和數字X射線探測器裝置及其制造方法。
本公開還提供了一種能夠通過提高讀出線的檢測功率來提高數字X射線探測器裝置的性能的用于X射線探測器裝置的薄膜晶體管陣列基板和數字X射線探測器裝置及其制造方法。
本公開的目的不限于上述目的,并且本公開的未提及的其它目的和優點可以通過以下描述來理解,并且可以通過本公開的實施方式更清楚地理解。還容易理解,本公開的目的和優點可以通過所附的權利要求及其組合中描述的特征來實現。
根據本公開的實施方式,提供了一種能夠使PIN二極管的泄漏電流的產生最小化并提高讀出線的檢測功率的用于X射線探測器裝置的薄膜晶體管陣列基板和數字X射線探測器裝置及其制造方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





