[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和數(shù)字X射線探測(cè)器裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011371850.4
• 申請(qǐng)日: 2020-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN112992943A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孔敏碩;姜汶秀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;G01T1/20;G01T1/24
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 段丹輝;劉久亮

1.一種用于數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的薄膜晶體管陣列基板，該薄膜晶體管陣列基板包括：

基底基板；

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管設(shè)置在所述基底基板上方；

P型半導(dǎo)體-本征型半導(dǎo)體-N型半導(dǎo)體PIN二極管，該P(yáng)IN二極管被構(gòu)造為連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述PIN二極管包括下電極、PIN層和上電極；以及

至少一個(gè)泄漏電流阻擋層，所述至少一個(gè)泄漏電流阻擋層被構(gòu)造為覆蓋所述PIN層的側(cè)表面并且與所述PIN層接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述至少一個(gè)泄漏電流阻擋層彼此間隔開。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述至少一個(gè)泄漏電流阻擋層沿著所述PIN層的側(cè)周邊設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述至少一個(gè)泄漏電流阻擋層不與所述下電極接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述至少一個(gè)泄漏電流阻擋層與所述下電極接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述至少一個(gè)泄漏電流阻擋層不與所述上電極接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述至少一個(gè)泄漏電流阻擋層包括金屬。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述金屬包括鉬鈦合金MoTi、銅Cu和銦錫氧化物ITO中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述至少一個(gè)泄漏電流阻擋層由與所述上電極的材料不同的材料制成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述泄漏電流阻擋層的第一側(cè)與所述PIN層接觸，并且所述泄漏電流阻擋層的第二側(cè)與絕緣層接觸。

11.一種數(shù)字X射線探測(cè)器裝置，該數(shù)字X射線探測(cè)器裝置包括：

根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的薄膜晶體管陣列基板；以及

閃爍體層，該閃爍體層設(shè)置在用于所述數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的所述薄膜晶體管陣列基板上方。

12.一種制造用于數(shù)字X射線探測(cè)器裝置的薄膜晶體管陣列基板的方法，該方法包括以下步驟：

在基底基板上方形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；

形成下電極，該下電極電連接到所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管；

在所述下電極上方形成P型半導(dǎo)體-本征型半導(dǎo)體-N型半導(dǎo)體PIN層和上電極；

形成泄漏電流阻擋層，以與所述PIN層接觸并且覆蓋所述PIN層的側(cè)表面；以及

在所述上電極上形成偏壓電極。