[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202011371843.4
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN113053827A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 陳偉銘;丁國強;侯上勇
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/98
• 分類號: H01L21/98;H01L25/16
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導體結構的方法，所述方法包括：

分別將第一管芯和第二管芯接合至第一中介層的第一側和第二中介層的第一側，其中，所述第一中介層橫向鄰近所述第二中介層；

用第一模制材料密封所述第一中介層和所述第二中介層；

在與所述第一中介層的所述第一側相對的所述第一中介層的第二側中形成第一凹槽；

在與所述第二中介層的所述第一側相對的所述第二中介層的第二側中形成第二凹槽；以及

用第一介電材料填充所述第一凹槽和所述第二凹槽。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：在接合所述第一管芯和所述第二管芯之前，將所述第一中介層和所述第二中介層附接至載體。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：在接合所述第一管芯和所述第二管芯之后，用第二模制材料密封所述第一管芯和所述第二管芯。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括用底部填充材料填充所述第一管芯和所述第二管芯之間的間隙。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：在接合所述第一管芯和所述第二管芯之前，將所述第一管芯和所述第二管芯附接至載體。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述第一模制材料還密封所述第一管芯和所述第二管芯。

7.根據權利要求5所述的方法，還包括用第二模制材料密封所述第一管芯和所述第二管芯。

8.根據權利要求5所述的方法，還包括在所述第一模制材料中形成通孔。

9.一種形成半導體結構的方法，所述方法包括：

將第一管芯和第二管芯分別附接至第一中介層和第二中介層，其中，在所述附接之后，所述第一管芯橫向鄰近所述第二管芯，并且所述第一中介層橫向鄰近所述第二中介層；

用第一模制材料圍繞所述第一中介層和所述第二中介層；

在遠離所述第一管芯的所述第一中介層的第一表面中形成第一凹槽；

在遠離所述第二管芯的所述第二中介層的第一表面中形成第二凹槽；以及

用聚合物層填充所述第一凹槽和所述第二凹槽。

10.一種半導體結構，包括：

多個中介層，彼此橫向鄰近并且具有襯底通孔(TSV)；

第一模制材料，位于所述多個中介層周圍；

至少一個管芯，接合至并且電連接至所述多個中介層中的至少一個；以及

介電層，位于遠離所述至少一個管芯的所述多個中介層的背側。