[發(fā)明專利]一種陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011371005.7 | 申請日: | 2020-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN112626585A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳克勝;夏文;徐利軍;陳義珍;林敏;張衛(wèi)東;羅瑞;肖振紅 | 申請(專利權(quán))人: | 中國原子能科學(xué)研究院 |
| 主分類號: | C25D11/16 | 分類號: | C25D11/16;C25D11/18;C25D17/02 |
| 代理公司: | 北京天悅專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 任曉航;周敏毅 |
| 地址: | 102413 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陽極 氧化 法制 非金屬 核素 平面 裝置 | ||
本發(fā)明屬于放射監(jiān)測技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置。所述的裝置包括陽極氧化處理系統(tǒng)、放射性核素吸附槽、氧化膜封閉槽,所述的陽極氧化處理系統(tǒng)包括堿洗槽、第一水洗槽、中和槽、陽極氧化槽。本發(fā)明的陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置能夠更好的用于非金屬核素平面源的制備,形成均勻、穩(wěn)定的放射性平面源。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于放射監(jiān)測技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置。
背景技術(shù)
標(biāo)準(zhǔn)平面源是涉核場所表面污染監(jiān)測中常用的參考源,以保障其監(jiān)測結(jié)果的準(zhǔn)確性。由于不同核素衰變方式及射線能量差異,可用于監(jiān)測設(shè)備不同功能/能區(qū)的校準(zhǔn),因此相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范中推薦了多種參考源制備用核素及其特征能量。目前對于金屬核素的標(biāo)準(zhǔn)平面源已發(fā)展出電鍍法等較為成熟的標(biāo)準(zhǔn)平面源制備方法,而對于非金屬核素,如36Cl、14C等尚無成熟可靠的標(biāo)準(zhǔn)平面源制備設(shè)備與方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置,以能夠更好的用于非金屬核素平面源的制備,形成均勻、穩(wěn)定的放射性平面源。
為實現(xiàn)此目的,在基礎(chǔ)的實施方案中,本發(fā)明提供一種陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置,所述的裝置包括陽極氧化處理系統(tǒng)、放射性核素吸附槽、氧化膜封閉槽,
所述的陽極氧化處理系統(tǒng)包括堿洗槽、第一水洗槽、中和槽、陽極氧化槽;
將制備好的鋁片浸泡在所述的堿洗槽中一定時間除去鋁片表面的油污,然后在所述的第一水洗槽中清洗掉表面殘余的堿液,清洗干凈的鋁片放入所述的中和槽浸泡一定時間中和上一步殘余的酸液,得到清洗干凈的平面源鋁底襯;
將清洗干凈的所述的平面源鋁底襯浸入預(yù)處理好的所述的陽極氧化槽中的電解液中進(jìn)行陽極氧化,使所述的平面源鋁底襯表面形成預(yù)定厚度的氧化膜;
表面形成氧化膜的所述的平面源鋁底襯在所述的放射性核素吸附槽內(nèi)進(jìn)行放射性核素吸附;
放射性核素吸附后的所述的平面源鋁底襯在所述的氧化膜封閉槽內(nèi)進(jìn)行封閉處理。
在一種優(yōu)選的實施方案中,本發(fā)明提供一種陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置,其中所述的裝置還包括保護(hù)膜噴涂設(shè)備,用于將所述的平面源的非活性區(qū)域進(jìn)行噴涂保護(hù)。
在一種優(yōu)選的實施方案中,本發(fā)明提供一種陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置,其中所述的陽極氧化處理系統(tǒng)還包括第二水洗槽,用于將得到的清洗干凈的所述的平面源鋁底襯沖洗備用保存。
在一種優(yōu)選的實施方案中,本發(fā)明提供一種陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置,其中所述的陽極氧化處理系統(tǒng)還包括第三水洗槽,用于將表面形成氧化膜的所述的平面源鋁底襯沖洗備用保存。
在一種優(yōu)選的實施方案中,本發(fā)明提供一種陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置,其中所述的陽極氧化處理系統(tǒng)還包括懸掛支架,用于懸掛所述的平面源鋁底襯在所述的陽極氧化槽內(nèi)進(jìn)行陽極氧化。
在一種優(yōu)選的實施方案中,本發(fā)明提供一種陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置,其中所述的裝置還包括控制器,用于控制所述的陽極氧化槽中的電解液的溫度、電流的大小和陽極氧化的時間,使所述的平面源鋁底襯表面形成致密的、耐磨的、預(yù)定厚度的氧化膜。
在一種優(yōu)選的實施方案中,本發(fā)明提供一種陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置,其中所述的控制器由溫度控制、電流/電壓控制、電解時間控制三個部分組成。
在一種優(yōu)選的實施方案中,本發(fā)明提供一種陽極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置,其中所述的裝置還包括冷卻系統(tǒng),用于將所述的陽極氧化槽中的電解液的溫度調(diào)節(jié)到預(yù)設(shè)的溫度。
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